Interface IC's Módulos MOSFET

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Serie Empaquetado
Infineon Technologies Módulos MOSFET EasyPACK 2C CoolSiC MOSFET M2 .XT, 3-level module 1200 V, 8 mOhm with NTC temperature sensor, pre-applied thermal interface material 2.0 and high current PressFIT contact technology 16En existencias
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Mult.: 1

SiC Press Fit 1.2 kV 95 A 16.8 mOhms - 10 V, + 25 V 4.3 V - 40 C + 175 C 20 mW EasyPACK C series Tray
Infineon Technologies Módulos MOSFET EasyPACK 2C CoolSiC MOSFET M2 .XT, fourpack module 1200 V, 8 mOhm with NTC temperature sensor, pre-applied thermal interface material 2.0 and high current PressFIT contact technology 12En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Press Fit 1.2 kV 100 A 16.8 mOhms - 10 V, + 25 V 4.3 V - 40 C + 175 C 20 mW EasyPACK C series Tray
Infineon Technologies Módulos MOSFET 62 mm C-Series module with CoolSiC Trench MOSFET and pre-applied thermal interface material 17En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si 62 mm C-Series Tray
Infineon Technologies Módulos MOSFET 62 mm C-Series module with CoolSiC Trench MOSFET and pre-applied thermal interface material 1En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si 62 mm C-Series Tray
Infineon Technologies Módulos MOSFET EasyPACK 1C CoolSiC MOSFET M2 .XT, fourpack module 1200 V, 13 mOhm with NTC temperature sensor, pre-applied thermal interface material 2.0 and high current PressFIT contact technology
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Press Fit 1.2 kV 60 A 25.2 mOhms - 10 V, + 25 V 4.3 V - 40 C + 175 C 20 mW EasyPACK C series Tray