Texas Instruments CSD87384M Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Nombre comercial Empaquetado
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Sync Buck Power Bloc k II A 595-CSD87384 A 595-CSD87384MT 1,163En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT PTAB-5 N-Channel 2 Channel 30 V 30 A 6.4 mOhms, 1.95 mOhms - 8 V, 10 V 1.1 V 7.1 nC, 31 nC - 55 C + 150 C 8 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Sync Buck NexFET Pwr Block II A 595-CSD8 A 595-CSD87384M 316En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 250

Si SMD/SMT PTAB-5 N-Channel 2 Channel 30 V 30 A 6.4 mOhms, 1.95 mOhms - 8 V, 10 V 1.9 V, 1.7 V 9.2 nC, 40 nC - 55 C + 150 C 8 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel