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OptiMOS 3 Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 219

Filtros aplicados:

Serie = OptiMOS 3

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 55A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC123N08NS3GATMA1
Infineon Technologies
1: $1.97
33,037En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC123N08NS3GATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC123N08NS3GATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 55A TDSON-8 OptiMOS 3

Hoja de datos

33,037En existencias

Cinta cortada

$1.97

$1.28

$0.862

$0.683

$0.618

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$0.577

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TDSON-8

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1 Channel

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55 A

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19 nC

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Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 25A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC600N25NS3GATMA1
Infineon Technologies
1: $4.27
24,142En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC600N25NS3GATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC600N25NS3GATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 25A TDSON-8 OptiMOS 3

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Hoja de datos

24,142En existencias

Más información disponible

Cinta cortada

$4.27

$2.81

$1.98

$1.71

Ver

Envase tipo carrete

$1.59

MouseReel Disponible

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TDSON-8

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- 20 V, 20 V

2 V

29 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 21A TSDSON-8 OptiMOS 3

BSZ520N15NS3GATMA1
Infineon Technologies
1: $2.16
25,646En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ520N15NS3GATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ520N15NS3GATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 21A TSDSON-8 OptiMOS 3

Obtenga más información

Hoja de datos

25,646En existencias

Cinta cortada

$2.16

$1.38

$0.931

$0.741

Ver

Envase tipo carrete

$0.626

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TSDSON-8

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1 Channel

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- 20 V, 20 V

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57 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 100A TO220-3

IPP030N10N3GXKSA1
Infineon Technologies
1: $4.82
648En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPP030N10N3GXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP030N10N3GXKSA

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 100A TO220-3

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648En existencias

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$2.53

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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

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100 A

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- 20 V, 20 V

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- 55 C

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300 W

Enhancement

OptiMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 100A TDSON-8

BSC036NE7NS3GATMA1
Infineon Technologies
1: $3.07
5,028En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC036NE7NS3GATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC036NE7NS3GATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 100A TDSON-8

Hoja de datos

5,028En existencias

Cinta cortada

$3.07

$1.98

$1.42

$1.19

Envase tipo carrete

$1.07

Ver

MouseReel Disponible

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TDSON-8

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100 A

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- 55 C

+ 150 C

156 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 100A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC042NE7NS3GATMA1
Infineon Technologies
1: $3.10
4,435En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC042NE7NS3GATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC042NE7NS3GATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 100A TDSON-8 OptiMOS 3

Hoja de datos

4,435En existencias

Cinta cortada

$3.10

$2.06

$1.47

$1.22

$1.20

Envase tipo carrete

$1.16

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

75 V

100 A

3.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

69 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 100A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC042NE7NS3 G
Infineon Technologies
1: $3.20
3,510En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC042NE7NS3 G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC042NE7NS3GXT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 100A TDSON-8 OptiMOS 3

Obtenga más información

Hoja de datos

3,510En existencias

Cinta cortada

$3.20

$2.09

$1.60

$1.34

$1.20

Envase tipo carrete

$1.16

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

TDSON-8

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1 Channel

75 V

100 A

3.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

69 nC

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+ 150 C

125 W

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OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

IPB016N06L3GATMA1
Infineon Technologies
1: $4.16
997En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB016N06L3GATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB016N06L3GATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

Hoja de datos

997En existencias

Cinta cortada

$4.16

$3.02

$2.24

$2.11

Envase tipo carrete

$1.97

MouseReel Disponible

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N-Channel

1 Channel

60 V

180 A

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- 20 V, 20 V

1.2 V

166 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

IPB019N08N3 G
Infineon Technologies
1: $6.32
1,218En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB019N08N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPB019N08N3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

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Hoja de datos

1,218En existencias

Cinta cortada

$6.32

$4.84

$3.92

$3.50

Envase tipo carrete

$3.08

MouseReel Disponible

Min.: 1
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TO-263-7

N-Channel

1 Channel

80 V

180 A

1.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

206 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

IPB025N10N3 G
Infineon Technologies
1: $6.29
499En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB025N10N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPB025N10N3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

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Hoja de datos

499En existencias

Más información disponible

Cinta cortada

$6.29

$4.82

$3.90

$3.49

Envase tipo carrete

$3.07

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1 Channel

100 V

180 A

2 mOhms

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2 V

206 nC

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300 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

IPB025N10N3GATMA1
Infineon Technologies
1: $7.31
2,445En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB025N10N3GATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB025N10N3GATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

Hoja de datos

2,445En existencias

Cinta cortada

$7.31

$4.78

$3.57

$3.28

Envase tipo carrete

$3.07

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

TO-263-7

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1 Channel

100 V

180 A

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- 20 V, 20 V

2 V

206 nC

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300 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

IPB027N10N3GATMA1
Infineon Technologies
1: $5.26
1,896En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB027N10N3GATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB027N10N3GATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

Hoja de datos

1,896En existencias

Cinta cortada

$5.26

$3.62

$2.67

$2.48

Envase tipo carrete

$2.32

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

120 A

2.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

155 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 160A D2PAK-6 OptiMOS 3

IPB030N08N3 G
Infineon Technologies
1: $4.76
1,689En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB030N08N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPB030N08N3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 160A D2PAK-6 OptiMOS 3

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Hoja de datos

1,689En existencias

Cinta cortada

$4.76

$3.15

$2.24

$1.98

Envase tipo carrete

$1.85

Min.: 1
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: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

80 V

160 A

3 mOhms

- 20 V, 20 V

2.8 V

117 nC

- 55 C

+ 175 C

214 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

IPB036N12N3GATMA1
Infineon Technologies
1: $6.75
2,080En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB036N12N3GATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB036N12N3GATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

Hoja de datos

2,080En existencias

Cinta cortada

$6.75

$4.62

$3.39

$3.29

Envase tipo carrete

$3.07

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

120 V

180 A

2.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

211 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3

IPB072N15N3 G
Infineon Technologies
1: $4.06
1,756En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB072N15N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPB072N15N3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3

Obtenga más información

Hoja de datos

1,756En existencias

Cinta cortada

$4.06

$2.65

$2.08

$1.81

Envase tipo carrete

$1.53

$1.51

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

150 V

100 A

7.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

70 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3

IPB072N15N3GATMA1
Infineon Technologies
1: $4.06
1,414En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB072N15N3GATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB072N15N3GATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3

Hoja de datos

1,414En existencias

Más información disponible

Cinta cortada

$4.06

$2.65

$2.08

$1.79

Envase tipo carrete

$1.51

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

150 V

100 A

5.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

93 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 88A D2PAK-2 OptiMOS 3

IPB107N20N3 G
Infineon Technologies
1: $7.13
3,961En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB107N20N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPB107N20N3GXT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 88A D2PAK-2 OptiMOS 3

Obtenga más información

Hoja de datos

3,961En existencias

Cinta cortada

$7.13

$4.67

$3.44

$3.15

Envase tipo carrete

$2.70

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

200 V

88 A

9.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

87 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 34A D2PAK-2 OptiMOS 3

IPB320N20N3GATMA1
Infineon Technologies
1: $3.90
2,487En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB320N20N3GATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB320N20N3GATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 34A D2PAK-2 OptiMOS 3

Hoja de datos

2,487En existencias

Cinta cortada

$3.90

$2.55

$1.79

$1.53

Envase tipo carrete

$1.41

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

200 V

34 A

28 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

29 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 34A D2PAK-2 OptiMOS 3

IPB320N20N3 G
Infineon Technologies
1: $3.80
4,408En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB320N20N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPB320N20N3GXT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 34A D2PAK-2 OptiMOS 3

Obtenga más información

Hoja de datos

4,408En existencias

Cinta cortada

$3.80

$2.48

$1.94

$1.63

Envase tipo carrete

$1.41

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

200 V

34 A

28 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

29 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A DPAK-2 OptiMOS 3

IPD031N06L3 G
Infineon Technologies
1: $3.25
1,561En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD031N06L3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPD031N06L3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A DPAK-2 OptiMOS 3

Hoja de datos

1,561En existencias

Cinta cortada

$3.25

$2.12

$1.62

$1.36

$1.28

Envase tipo carrete

$1.18

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

100 A

2.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

79 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A DPAK-2 OptiMOS 3

IPD031N06L3GATMA1
Infineon Technologies
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N.º de artículo del Fabricante
IPD031N06L3GATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD031N06L3GATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A DPAK-2 OptiMOS 3

Hoja de datos

1,685En existencias

Cinta cortada

$3.19

$2.08

$1.48

$1.26

$1.24

Envase tipo carrete

$1.18

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

100 A

2.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

79 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 50A DPAK-2

IPD060N03LGATMA1
Infineon Technologies
1: $1.22
6,020En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD060N03LGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD060N03LGATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 50A DPAK-2

Hoja de datos

6,020En existencias

Cinta cortada

$1.22

$0.76

$0.50

$0.388

Envase tipo carrete

$0.289

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Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

30 V

50 A

6 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

14.4 nC

- 55 C

+ 175 C

56 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A DPAK-2

IPD090N03LGATMA1
Infineon Technologies
1: $1.09
6,281En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD090N03LGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD090N03LGATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A DPAK-2

Hoja de datos

6,281En existencias

Cinta cortada

$1.09

$0.584

$0.442

$0.342

Envase tipo carrete

$0.257

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Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

30 V

40 A

7.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

15 nC

- 55 C

+ 175 C

42 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPD110N12N3GATMA1
Infineon Technologies
1: $2.74
11,325En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD110N12N3GATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD110N12N3GATM1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

Hoja de datos

11,325En existencias

Cinta cortada

$2.74

$1.78

$1.22

$0.979

Envase tipo carrete

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

120 V

75 A

11 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

49 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 30A DPAK-2

IPD135N03LGATMA1
Infineon Technologies
1: $0.80
12,033En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD135N03LGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD135N03LGATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 30A DPAK-2

Hoja de datos

12,033En existencias

Cinta cortada

$0.80

$0.527

$0.366

$0.281

$0.253

Envase tipo carrete

$0.199

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

30 V

30 A

13.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

6.4 nC

- 55 C

+ 175 C

31 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

OptiMOS 3 Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

5 A
7 A
10.9 A
11.3 A
13 A
15.2 A
18 A
20 A
21 A
23 A
24 A
25 A
29 A
30 A
33 A
34 A
35 A
36 A
37 A
39 A

800 uOhms
1.2 mOhms
1.3 mOhms
1.5 mOhms
1.6 mOhms
1.7 mOhms
1.9 mOhms
2 mOhms
2.1 mOhms
2.3 mOhms
2.4 mOhms
2.5 mOhms
2.6 mOhms
2.7 mOhms
2.8 mOhms
2.9 mOhms
3 mOhms
3.1 mOhms
3.2 mOhms
3.3 mOhms

5.5 nC
5.6 nC
6.4 nC
6.8 nC
7 nC
8.7 nC
9.1 nC
9.5 nC
11.4 nC
11.6 nC
12 nC
13.2 nC
14.4 nC
15 nC
18 nC
19 nC
20 nC
22 nC
23 nC
24 nC

2.5 W
25 W
26 W
28 W
29 W
31 W
32 W
33.8 W
34 W
35 W
37.5 W
38 W
39 W
41 W
42 W
47 W
50 W
56 W
57 W
60 W