4506 MOSFETs de SiC

Resultados: 9
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Wolfspeed MOSFETs de SiC SiC, MOSFET, 45mO, 650V, TOLL, T&R, Industrial
Hoja de datos
1,816En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000

SMD/SMT TOLL-9 N-Channel 1 Channel 650 V 49 A 60 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 59 nC - 40 C + 175 C 164 W Enhancement
Wolfspeed MOSFETs de SiC 650V MOSFET 45mOHMS SiC MOSFET
Hoja de datos
2,414En existencias
2,250En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 49 A 45 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 63 nC - 40 C + 175 C 176 W Enhancement
Wolfspeed MOSFETs de SiC SiC, MOSFET 45mohm, 650V TO-263-7XL, Industrial
Hoja de datos
611En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 47 A 60 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 61 nC - 40 C + 150 C 147 W Enhancement
Wolfspeed MOSFETs de SiC 650V MOSFET 45mOHMS SiC MOSFET
Hoja de datos
929En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 49 A 45 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 63 nC - 40 C + 175 C 176 W Enhancement
Wolfspeed MOSFETs de SiC SiC, MOSFET 45mO, 650V TO-263-7XL, T&R, Industrial
Hoja de datos
1En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 47 A 60 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 61 nC - 40 C + 150 C 147 W Enhancement
Wolfspeed MOSFETs de SiC SiC, MOSFET, 45mohm, 650V, TOLT T&R, Industrial No en existencias
Min.: 1,800
Mult.: 1,800
: 1,800

650 V 45 mOhms
WeEn Semiconductors MOSFETs de SiC WNSC2M45065W/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 480
Mult.: 240

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 82 A 45 mOhms - 4 V, + 18 V 3.5 V 87 nC - 55 C + 175 C 395 W Enhancement
WeEn Semiconductors MOSFETs de SiC WNSC2M45065R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 480
Mult.: 240

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 84 A 45 mOhms - 4 V, + 18 V 3.5 V 87 nC - 55 C + 175 C 429 W Enhancement
WeEn Semiconductors MOSFETs de SiC WNSC2M45065B7/TO263-7L/REEL 13\" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 5,600
Mult.: 800
: 800

SMD/SMT TO-263-7L N-Channel 1 Channel 650 V 91 A 45 mOhms - 4 V, + 18 V 3.5 V 87 nC - 55 C + 175 C 484 W Enhancement