CES Semiconductores discretos

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 60A TO247-3 CoolMOS CP
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222En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 21A D2PAK-2 CoolMOS CP
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61En existencias
1,000En pedido
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: 1,000

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 9A DPAK-2
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1,085En existencias
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: 2,500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 31A TO247-3 CoolMOS CP
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1En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 25A TO247-3 CoolMOS CP
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1En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 31A TO247-3 CoolMOS CP
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28En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 16.4A ThinPAK-4 CoolMOS CP
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: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT ThinPAK-5

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 21A TO247-3 CoolMOS CP
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 11A TO220-3 CoolMOS CP
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500En existencias
500En pedido
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY
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Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
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MOSFETs Si Through Hole TO-262-3
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 23A TO220FP-3 CoolMOS CP
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Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
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MOSFETs Si Through Hole TO-220FP-3
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 23A D2PAK-2 CoolMOS CP
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Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
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: 1,000

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 9A TO220-3 CoolMOS CP
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Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 17A D2PAK-2 CoolMOS CP
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Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
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: 1,000

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 39A TO247-3 CoolMOS CP
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Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 16A TO247-3 CoolMOS CP
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Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 25A I2PAK-3 CoolMOS CP
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Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
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MOSFETs Si Through Hole TO-262-3
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 25mA D2PAK-2 CoolMOS CP
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Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
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: 1,000

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 13A TO247-3 CoolMOS CP
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Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 11A TO220-3 CoolMOS CP
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Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Min.: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 25mA D2PAK-2 CoolMOS CP
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Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
: 1,000

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 21A I2PAK-3
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Plazo de entrega no en existencias 11 Semanas
Min.: 500
Mult.: 500

MOSFETs Si Through Hole TO-262-3

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 60A TO247-3 CoolMOS CP
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Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 9A TO220-3 CoolMOS CP
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Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
Min.: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 11A TO220FP-3 CoolMOS CP
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Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220FP-3