CES Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
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2,623En existencias
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Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 40 V 7 A 31 mOhms 20 V 2.5 V 8.9 nC - 55 C + 175 C 3 W Enhancement
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
Hoja de datos
2,688En existencias
Min.: 1
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Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 80 V 2.2 A 290 mOhms 20 V 2.5 V 9.3 nC - 55 C + 175 C 3 W Enhancement
Vishay Semiconductors SQ2348CES-T1_BE3
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET 2,935En existencias
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Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
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2,644En existencias
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Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
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12,655En existencias
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Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 40 V 4.6 A 75 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 11 nC - 55 C + 175 C 3 W Enhancement
Vishay Semiconductors SQ2361CES-T1_BE3
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET 1,205En existencias
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Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
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Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 40 V 7 A 31 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 8.9 nC - 55 C + 175 C 3 W Enhancement
Vishay Semiconductors SQ2309CES-T1_BE3
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET 2,824En existencias
Min.: 1
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Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
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76,536En existencias
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: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 40 V 4.1 A 94 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 8.2 nC - 55 C + 175 C 3 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
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26,750En existencias
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: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 4.3 A 68 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 8.1 nC - 55 C + 175 C 3 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
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10,762En existencias
27,000En pedido
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: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 80 V 2.2 A 290 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 9.3 nC - 55 C + 175 C 3 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 20-V (D-S) 175C MOSFET
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4,983En existencias
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Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 3.9 A 120 mOhms 1.5 V 5.4 nC - 55 C + 175 C 3 W Enhancement
Vishay Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 12-V (D-S) 175C MOSFET
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7,159En existencias
3,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 12 V 5 A 50 mOhms 8 V 1 V 9.3 nC - 55 C + 175 C 2 W Enhancement
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 20-V (D-S) 175C MOSFET
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13,632En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 20 V 6 A 30 mOhms - 8 V, 8 V 600 mV 4.95 nC - 55 C + 175 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
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3,202En existencias
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Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 30 V 2.5 A 170 mOhms 20 V 2.5 V 4.5 nC - 55 C + 175 C 1.9 W Enhancement
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-Channel 30V (D-S) 175C MOSFET
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8,912En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 30 V 8 A 24 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 8.15 nC - 55 C + 175 C 3 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
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4,448En existencias
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Min.: 1
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: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 60 V 1.7 A 335 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 5.5 nC - 55 C + 175 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 20-V (D-S) 175C MOSFET
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6,933En existencias
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: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 3.2 A 115 mOhms - 12 V, 12 V 1 V 3.4 nC - 55 C + 175 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60V (D-S)
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2,995En existencias
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: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 2.3 A 150 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 3.5 nC - 55 C + 175 C 2 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 150-V (D-S) 175C MOSFET
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1,105En existencias
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Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
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346En existencias
2,990En pedido
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 17A D2PAK-2 CoolMOS CP
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7,664En existencias
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: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 17 A 180 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 45 nC - 55 C + 150 C 139 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 23A D2PAK-2 CoolMOS CP
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930En existencias
1,000En pedido
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: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 23 A 130 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 64 nC - 55 C + 150 C 192 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 16A D2PAK-2 CoolMOS CP
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1,962En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 16 A 180 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 43 nC - 55 C + 150 C 139 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 16A D2PAK-2 CoolMOS CP
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914En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 16 A 180 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 43 nC - 55 C + 150 C 139 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel