IXYS Transistores

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Tipo de producto Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor
IXYS MOSFETs de SiC 1200V 40mohm (65A a. 25C) SiC MOSFET in TO-263-7L 88En existencias
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: 800

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TO-263-7L N-Channel
IXYS MOSFETs de SiC 1200V 40mohm (65A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L 89En existencias
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: 450

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4L N-Channel
IXYS IGBTs 650V, 100A, XPT Gen5 C5 IGBT in TO-247AD 74En existencias
300Se espera el 14/4/2026
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
IXYS IGBTs 650V, 50A, XPT Gen5 C5 IGBT in TO-263 75En existencias
300Se espera el 14/4/2026
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IGBT Transistors Si SMD/SMT TO-263AB-2
IXYS IGBTs 650V, 55A, XPT Gen5 B5 IGBT in TO-263 80En existencias
300Se espera el 14/4/2026
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IGBT Transistors Si SMD/SMT TO-263-2L
IXYS Módulos MOSFET HiperFET Pwr MOSFET 70V, 340A 944En existencias
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MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel
IXYS Módulos MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET 2,012En existencias
390En pedido
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MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227B-4 N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10 Amps 800V 1.1 Rds 8,999En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 1,148En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 200V 86A N-CH X4CLASS 2,003En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel
IXYS Módulos MOSFET MBLOC 150V 400A N-CH X4CLASS 411En existencias
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MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel
IXYS IGBTs TO247 1200V 85A XPT 1,397En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 230A 200V 903En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-264-3 N-Channel


IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) ISOPLUS 4.7KV 2A N-CH HIVOLT 344En existencias
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MOSFETs Si Through Hole ISOPLUS-i5-PAK-3 N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLUS247 4.5KV 1.4A N-CH HIVOLT 267En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel
IXYS IGBTs PLUS247 1700V 50A XPT 809En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-PLUS-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -96 Amps -85V 0.013 Rds 3,737En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) P-Channel
IXYS IGBTs TO268 3KV 42A IGBT 2,747En existencias
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IGBT Transistors Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3)
IXYS Módulos IGBT Mid-Frequency Range PT IGBTs 478En existencias
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IGBT Modules Si Screw Mount SOT-227B-4
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode 1,540En existencias
75En pedido
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MOSFETs Si Through Hole TO-264-3 N-Channel
IXYS Módulos IGBT 1700V/85A High Voltage XPT IGBT 441En existencias
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IGBT Modules Si Screw Mount SOT-227B
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMosfet NCh Std-VeryHiVolt TO-268AA 305En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/44A 66En existencias
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MOSFETs Si Through Hole PLUS-264-3 N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1 Amps 1200V 20 Rds 1,111En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PolarP2 Power MOSFET 290En existencias
300En pedido
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MOSFETs Si Through Hole TO-264-3 N-Channel