IXYS Transistores

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor

IXYS MOSFETs de SiC 1200 V 160 mOhm SiC Mosfet
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
IXYS IGBTs TO247 3KV 32A IGBT
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V/34A Ultra Junction X2
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PolarP2 Power MOSFET
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Polar Power MOSFET HiPerFET
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MOSFETs Si Through Hole TO-264-3 N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
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MOSFETs Si Through Hole TO-264-3 N-Channel
IXYS Módulos MOSFET PolarHV HiPerFETs 900V 56A
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274En existencias
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MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 300V 56A N-CH X3CLASS
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 36A
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1,649En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
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646En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/80A
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710En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 80A 0.07Ohm PolarP3 Power MOSFET
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245En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel

IXYS IGBTs 50 Amps 900V 2.7 Rds
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300En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247AD-3
IXYS IGBTs 30 Amps 1200V
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IGBT Transistors Si Through Hole
IXYS IGBTs 30 Amps 1200V
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182En existencias
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IGBT Transistors Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3)
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 1KV 3A N-CH DEPL
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MOSFETs Si SMD/SMT TO-263HV-3 N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 1.7KV 1A N-CH DEPL
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892En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -90.0 Amps -200V 0.044 Rds
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648En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-264-3 P-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 86 Amps 200V 29 Rds
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744En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 6 Amps 1200V 2.700 Rds
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274En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel
IXYS IGBTs XPT 600V IGBT GenX3 XPT IGBT
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439En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
IXYS IGBTs 1700V/10A XPT IGBT w/ Diode
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400En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247AD-3
IXYS IGBTs 1700V/58A High Volt
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269En existencias
270Se espera el 19/10/2026
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247AD-3
IXYS IGBTs XPT 1200V IGBT GenX5 XPT IGBT
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280En existencias
300En pedido
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247AD-3
IXYS IGBTs PLUS247 900V 140A GENX3
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300En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-PLUS-3