IXYS Transistores

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
IXYS IGBTs RECT 300V 30A FAST RECOVERY
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751En existencias
800En pedido
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: 800

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)

IXYS IGBTs TO247 2500V 2A IGBT
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107En existencias
180En pedido
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247AD-3

IXYS IGBTs 32 Amps 1200V
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295En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247AD-3

IXYS IGBTs 50 Amps 900V 2.7 Rds
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291En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247AD-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TenchP Power MOSFET
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2,106En existencias
1,450En pedido
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MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) P-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V, 60A current capacity, Ultra junction X4, TO-247 package, MOSFET
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396En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TrenchP Power MOSFET
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549En existencias
390En pedido
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 P-Channel

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 N-CH 75V 80A
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422En existencias
600En pedido
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) High Voltage Power MOSFET
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272En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V, 120A, Ultra junction X4, TO-220 package, MOSFET
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726En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TenchP Power MOSFET
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2,772En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 P-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 200V 94A N-CH X4CLASS
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719En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 170 Amps 100V 0.009 Ohm Rds
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1,286En existencias
1,170En pedido
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MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 96 Amps 200V 0.024 Rds
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316En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LINEAR L2 SERIES MOSFET 100V 75A
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261En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel
IXYS IGBTs TO247 2500V 16A IGBT
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287En existencias
300En pedido
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247HV-3
IXYS IGBTs 650V/130A XPTI C3-Class TO-247
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374En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247AD-3
IXYS IGBTs XPT IGBT C3-Class 1200V/160A
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320En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247AD-3
IXYS IGBTs 12 Amps 1700V 3.6 Rds
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258En existencias
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IGBT Transistors Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3)

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/18A
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262En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V/60A Ultra Junction X2
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889En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PolarHT HiperFET 100v, 170A
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1,386En existencias
331En pedido
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MOSFETs Si Through Hole TO-264-3 N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 80A
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398En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-264-3 N-Channel

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 420A
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236En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 200V 36A N-CH X3CLASS
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1,756En existencias
1,820En pedido
Min.: 1
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MOSFETs Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel