IXYS Transistores

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor

IXYS IGBTs 32 Amps 1700 V 5 V Rds
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1,075En existencias
1,380En pedido
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247AD-3
IXYS IGBTs G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 1200V 20A
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492En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-220AB-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -36.0 Amps -150V 0.110 Rds
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793En existencias
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: 800

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) P-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 150V 44A P-CH TRENCH
Hoja de datos
1,294En existencias
800Se espera el 5/5/2026
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: 800

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) P-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 3KV 2A N-CH POLAR
Hoja de datos
296En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 Amps 500V
Hoja de datos
510En existencias
740En pedido
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel
IXYS Módulos MOSFET 8 Amps 1500V
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253En existencias
290En pedido
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MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1700V 2A
Hoja de datos
119En existencias
300En pedido
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MOSFETs Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LINEAR L2 SERIES MOSFET 200V 110A
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282En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel
IXYS IGBTs XPT 600V IGBT GenX3 XPT IGBT
Hoja de datos
538En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247AD-3
IXYS IGBTs 650V/370A TRENCH IGBT GENX4 XPT
Hoja de datos
455En existencias
450En pedido
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-264-3
IXYS IGBTs BIMOSET 42A 1700V
Hoja de datos
297En existencias
Min.: 1
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 250V 30A N-CH HIPER
Hoja de datos
547En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 170 Amps 100V 0.009 Rds
Hoja de datos
368En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trench HiperFET Power MOSFET
Hoja de datos
299En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 88 Amps 300V 0.04 Rds
Hoja de datos
234En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 250V 30A N-CH X3CLASS
Hoja de datos
661En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel

IXYS IGBTs 600V, 28A at 110degreeC , TO-247AD-3
Hoja de datos
437En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247AD-3

IXYS IGBTs 60 Amps 1200V
Hoja de datos
251En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247AD-3

IXYS IGBTs 12 Amps 1700 V 4 V Rds
Hoja de datos
233En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247AD-3
IXYS IGBTs GenX3 1200V IGBTs
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298En existencias
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IGBT Transistors Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3)
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -96 Amps -85V 0.013 Rds
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3,737En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) P-Channel

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 6 Amps 1200V 2.700 Rds
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193En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 650V 80A N-CH X2CLASS
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239En existencias
Min.: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -10.0 Amps -500V 1.000 Rds
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488En existencias
530En pedido
Min.: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3 P-Channel