5100 Transistores

Resultados: 33
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Tipo de producto Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8SW N-Channel
Diodes Incorporated Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN 100V HIGH GAIN
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-89-3 NPN
Diodes Incorporated Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PNP 100V 1A
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-89-3 PNP
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT223 100V 7A N-CH TRNCH
33,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

MOSFETs Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1210 100V 18A N-CH MOSFET
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

MOSFETs Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 100V 3.7A N-CH TRENCH
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT DFN-2020-6 N-Channel
Shindengen Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 75V, 100A EETMOS POWER MOSFET
No en existencias
Min.: 1,000
Mult.: 1,000

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1205 100V 29.5A Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas
Min.: 1,500
Mult.: 1,500
: 1,500

MOSFETs Si SMD/SMT LFPAK-56D-8 N-Channel