5100 Transistores

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1205 100V 21A
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2,100En existencias
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: 1,500

MOSFETs Si SMD/SMT LFPAK-56D-8 N-Channel
Vishay Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWRPK 100V 417A
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4,137En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT PowerPAK-16 N-Channel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN9R5-100BS/SOT404/D2PAK
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1,011En existencias
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: 800

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWRPK 100V N-CH MOSFET
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1,857En existencias
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: 2,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerPAK-4 N-Channel

Diodes Incorporated Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Medium Power
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10,874En existencias
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Máx.: 740
: 3,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-23-3 NPN
Diodes Incorporated Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN 100V HIGH GAIN
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10,812En existencias
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: 1,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-223-4 NPN
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-Channel 100V (D-S), PowerPAK SO-8S, 2.5 mohm at 10V
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394En existencias
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: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT SO-8S N-Channel

Diodes Incorporated Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN 100V HIGH GAIN
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19,987En existencias
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Máx.: 1,790
: 3,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-23-3 NPN

Diodes Incorporated Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PNP Medium Power
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227En existencias
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: 3,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-23-3 PNP
Diodes Incorporated Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 100V NPN High Gain 180V 85mOhm
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399En existencias
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: 1,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-223-4 NPN

Diodes Incorporated Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PNP 100V 1A
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1,618En existencias
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: 3,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-23-3 PNP
Diodes Incorporated Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) SS Low Sat Transist
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2,211En existencias
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: 3,000
BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-23-3 PNP
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y65-100E/SOT669/LFPAK
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13,467En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 3A N-Channel
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6,472En existencias
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Máx.: 1,440
: 1,000

MOSFETs Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) CLF3H0035-100/SOT467C/TRAY
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53En existencias
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RF MOSFETs GaN Si Screw Mount SOT467C-3 N-Channel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 100V 115A
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1,015En existencias
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: 1,500

MOSFETs Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 100V 69A
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8,878En existencias
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: 1,500

MOSFETs Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9675-100A/SOT404/D2PAK
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639En existencias
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: 800

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1205 100V 21.4A
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832En existencias
1,500En pedido
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: 1,500

MOSFETs Si SMD/SMT LFPAK-56D-8 N-Channel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Q25-100L/SOT8002/MLPAK33
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320En existencias
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: 3,000

MOSFETs
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9K45-100E/SOT1205/LFPAK56D
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67En existencias
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: 1,500

MOSFETs Si SMD/SMT LFPAK-56D-8 N-Channel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y15-100E/SOT669/LFPAK
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1,433En existencias
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: 1,500

MOSFETs Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9K35-100L/SOT1205/LFPAK56D
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9En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

MOSFETs Si SMD/SMT Power SO-8 N-Channel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 100V 55A N-CH MOSFET
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168En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

MOSFETs Si SMD/SMT SO8-4 N-Channel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 100V 19A
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2,182En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

MOSFETs Si SMD/SMT LFPAK-56-5 N-Channel