|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Vishay Semiconductors SI2318HDS-T1-GE3
- SI2318HDS-T1-GE3
- Vishay Semiconductors
-
1:
$0.53
-
6,786En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
78-SI2318HDS-T1-GE3
Nuevo producto
|
Vishay Semiconductors
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
|
|
6,786En existencias
|
|
|
$0.53
|
|
|
$0.324
|
|
|
$0.205
|
|
|
$0.153
|
|
|
$0.114
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.134
|
|
|
$0.102
|
|
|
$0.074
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
MOSFETs
|
|
|
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD17318Q2
- CSD17318Q2T
- Texas Instruments
-
1:
$1.67
-
2,932En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
595-CSD17318Q2T
|
Texas Instruments
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD17318Q2
|
|
2,932En existencias
|
|
|
$1.67
|
|
|
$1.05
|
|
|
$0.608
|
|
|
$0.608
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 160
:
250
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
WSON-6
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 1 N-CH HEXFET 3.1mOhms 41nC
- IRFH8318TRPBF
- Infineon Technologies
-
1:
$1.26
-
4,260En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
942-IRFH8318TRPBF
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 1 N-CH HEXFET 3.1mOhms 41nC
|
|
4,260En existencias
|
|
|
$1.26
|
|
|
$0.465
|
|
|
$0.33
|
|
|
$0.318
|
|
|
$0.318
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
4,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
PQFN-8
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
- SQ2318CES-T1_BE3
- Vishay Semiconductors
-
1:
$1.11
-
2,603En existencias
-
Nuevo en Mouser
|
N.º de artículo de Mouser
78-SQ2318CES-T1_BE3
Nuevo en Mouser
|
Vishay Semiconductors
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
|
|
2,603En existencias
|
|
|
$1.11
|
|
|
$0.769
|
|
|
$0.487
|
|
|
$0.301
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.222
|
|
|
$0.137
|
|
|
$0.123
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
SOT-23-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250 V 318 mOhm 8 A STripFET II
- STD8NF25
- STMicroelectronics
-
1:
$1.27
-
2,413En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STD8NF25
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250 V 318 mOhm 8 A STripFET II
|
|
2,413En existencias
|
|
|
$1.27
|
|
|
$0.80
|
|
|
$0.528
|
|
|
$0.411
|
|
|
$0.374
|
|
|
$0.325
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
- SQ2318CES-T1_GE3
- Vishay / Siliconix
-
1:
$0.63
-
17,614En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
78-SQ2318CES-T1_GE3
Nuevo producto
|
Vishay / Siliconix
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
|
|
17,614En existencias
|
|
|
$0.63
|
|
|
$0.391
|
|
|
$0.25
|
|
|
$0.19
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.17
|
|
|
$0.137
|
|
|
$0.128
|
|
|
$0.121
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
SOT-23-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) D-PAK;BCE NPN SMT HFE RANK U
ROHM Semiconductor 2SD2318TLU
- 2SD2318TLU
- ROHM Semiconductor
-
1:
$1.72
-
1,844En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
755-2SD2318TLU
NRND
|
ROHM Semiconductor
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) D-PAK;BCE NPN SMT HFE RANK U
|
|
1,844En existencias
|
|
|
$1.72
|
|
|
$1.09
|
|
|
$0.729
|
|
|
$0.575
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.525
|
|
|
$0.465
|
|
|
$0.425
|
|
|
$0.42
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
BJTs - Bipolar Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
|
NPN
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal Mosfet
- SSM3K318R,LF
- Toshiba
-
1:
$0.55
-
19,449En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K318RLF
|
Toshiba
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal Mosfet
|
|
19,449En existencias
|
|
|
$0.55
|
|
|
$0.338
|
|
|
$0.217
|
|
|
$0.164
|
|
|
$0.12
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.145
|
|
|
$0.109
|
|
|
$0.10
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
SOT-23F-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperSOT-3
- FDC6318P
- onsemi
-
1:
$1.15
-
46,535En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
512-FDC6318P
|
onsemi
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperSOT-3
|
|
46,535En existencias
|
|
|
$1.15
|
|
|
$0.701
|
|
|
$0.466
|
|
|
$0.363
|
|
|
$0.331
|
|
|
$0.289
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
SSOT-6
|
P-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD17318Q2T
- CSD17318Q2
- Texas Instruments
-
1:
$0.62
-
7,610En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
595-CSD17318Q2
|
Texas Instruments
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD17318Q2T
|
|
7,610En existencias
|
|
|
$0.62
|
|
|
$0.385
|
|
|
$0.246
|
|
|
$0.186
|
|
|
$0.142
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.164
|
|
|
$0.127
|
|
|
$0.113
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
WSON-6
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistores digitales 100mA -50volts 3Pin 47K x 10Kohms
- RN2318(TE85L,F)
- Toshiba
-
1:
$0.24
-
2,600En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
757-RN2318(TE85L,F)
|
Toshiba
|
Transistores digitales 100mA -50volts 3Pin 47K x 10Kohms
|
|
2,600En existencias
|
|
|
$0.24
|
|
|
$0.148
|
|
|
$0.093
|
|
|
$0.068
|
|
|
$0.047
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.06
|
|
|
$0.043
|
|
|
$0.035
|
|
|
$0.034
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
Digital Transistors
|
|
SMD/SMT
|
SC-70
|
PNP
|
|
|
|
Transistores digitales 100mA 50volts 3Pin 47K x 10Kohms
- RN1318(TE85L,F)
- Toshiba
-
1:
$0.24
-
3,000En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
757-RN1318(TE85L,F)
|
Toshiba
|
Transistores digitales 100mA 50volts 3Pin 47K x 10Kohms
|
|
3,000En existencias
|
|
|
$0.24
|
|
|
$0.148
|
|
|
$0.093
|
|
|
$0.079
|
|
|
$0.054
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.063
|
|
|
$0.043
|
|
|
$0.035
|
|
|
$0.034
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
Digital Transistors
|
|
SMD/SMT
|
SC-70
|
NPN
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40Vds 20Vgs 20A 5.0A 93pF 1.2W
- SI2318A-TP
- Micro Commercial Components (MCC)
-
1:
$0.33
-
2,067En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
833-SI2318A-TP
|
Micro Commercial Components (MCC)
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40Vds 20Vgs 20A 5.0A 93pF 1.2W
|
|
2,067En existencias
|
|
|
$0.33
|
|
|
$0.20
|
|
|
$0.126
|
|
|
$0.093
|
|
|
$0.068
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.082
|
|
|
$0.061
|
|
|
$0.052
|
|
|
$0.05
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
SOT-23-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 N-CH 40V 4.3A
- SI2318CDS-T1-BE3
- Vishay / Siliconix
-
1:
$0.48
-
|
N.º de artículo de Mouser
78-SI2318CDS-T1-BE3
|
Vishay / Siliconix
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 N-CH 40V 4.3A
|
|
|
|
|
$0.48
|
|
|
$0.297
|
|
|
$0.188
|
|
|
$0.141
|
|
|
$0.126
|
|
|
$0.108
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
SOT-23-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs SOT-23
- SI2318CDS-T1-GE3
- Vishay Semiconductors
-
1:
$0.99
-
|
N.º de artículo de Mouser
781-SI2318CDS-T1-GE3
|
Vishay Semiconductors
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs SOT-23
|
|
|
|
|
$0.99
|
|
|
$0.682
|
|
|
$0.432
|
|
|
$0.267
|
|
|
$0.198
|
|
|
$0.176
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
SOT-23-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
- IPD95R450P7ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$3.03
-
3,193En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD95R450P7ATMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
|
|
3,193En existencias
|
|
|
$3.03
|
|
|
$1.94
|
|
|
$1.32
|
|
|
$1.10
|
|
|
$1.02
|
|
|
$0.951
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER NEW
- IPT60R102G7XTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$5.80
-
1,617En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R102G7XTMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER NEW
|
|
1,617En existencias
|
|
|
$5.80
|
|
|
$3.87
|
|
|
$2.77
|
|
|
$2.41
|
|
|
$2.25
|
|
|
$2.25
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
HSOF-8
|
N-Channel
|
|
|
|
IGBTs INDUSTRY
- IGB03N120S7ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.01
-
716En existencias
-
Nuevo en Mouser
|
N.º de artículo de Mouser
726-IGB03N120S7ATMA1
Nuevo en Mouser
|
Infineon Technologies
|
IGBTs INDUSTRY
|
|
716En existencias
|
|
|
$2.01
|
|
|
$1.30
|
|
|
$0.817
|
|
|
$0.702
|
|
|
$0.702
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
IGBTs
|
|
SMD/SMT
|
PG-TO263-3
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP9H10S-500AWT/OMP-780/REELDP
- BLP9H10S-500AWTY
- Ampleon
-
1:
$56.75
-
57En existencias
-
Nuevo en Mouser
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLP9H10S-500AWTY
Nuevo en Mouser
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP9H10S-500AWT/OMP-780/REELDP
|
|
57En existencias
|
|
|
$56.75
|
|
|
$44.27
|
|
|
$41.90
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
100
|
|
RF MOSFETs
|
LDMOS
|
SMD/SMT
|
OMP-780-6F-1-7
|
Dual N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
- IPP013N04NF2SAKMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$3.05
-
1,000En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPP013N04NF2SAKM
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
|
|
1,000En existencias
|
|
|
$3.05
|
|
|
$1.41
|
|
|
$1.27
|
|
|
$1.14
|
|
|
$1.10
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) SOT457 45V .5A PNP GP TRANS
- BC807DSF
- Nexperia
-
1:
$0.45
-
62En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
771-BC807DSF
|
Nexperia
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) SOT457 45V .5A PNP GP TRANS
|
|
62En existencias
|
|
|
$0.45
|
|
|
$0.296
|
|
|
$0.187
|
|
|
$0.127
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.067
|
|
|
$0.106
|
|
|
$0.099
|
|
|
$0.091
|
|
|
$0.067
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
10,000
|
|
BJTs - Bipolar Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
TSOP-6
|
PNP
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 20V 9A
- PMPB10XNEZ
- Nexperia
-
1:
$0.99
-
22En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
771-PMPB10XNEZ
|
Nexperia
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 20V 9A
|
|
22En existencias
|
|
|
$0.99
|
|
|
$0.661
|
|
|
$0.421
|
|
|
$0.28
|
|
|
$0.223
|
|
|
$0.144
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
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DFN-2020MD-6
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N-Channel
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) BC807DS/SOT457/SC-74
- BC807DS,115
- Nexperia
-
1:
$0.49
-
1,138En existencias
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N.º de artículo de Mouser
771-BC807DS115
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Nexperia
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) BC807DS/SOT457/SC-74
|
|
1,138En existencias
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|
$0.49
|
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$0.314
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$0.199
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$0.139
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$0.122
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$0.072
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Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
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BJTs - Bipolar Transistors
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Si
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SMD/SMT
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TSOP-6
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PNP
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 2PA1576S/SOT323/SC-70
- 2PA1576S,135
- Nexperia
-
1:
$0.18
-
10,605En existencias
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N.º de artículo de Mouser
771-2PA1576S135
|
Nexperia
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 2PA1576S/SOT323/SC-70
|
|
10,605En existencias
|
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|
$0.18
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$0.11
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$0.098
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$0.068
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Ver
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$0.033
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$0.05
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$0.039
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$0.033
|
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|
$0.033
|
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Min.: 1
Mult.: 1
:
10,000
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BJTs - Bipolar Transistors
|
Si
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SMD/SMT
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SOT-323-3
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PNP
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V
Infineon Technologies IRFB5615PBFXKMA1
- IRFB5615PBFXKMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.94
-
774En existencias
-
1,000En pedido
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N.º de artículo de Mouser
726-IRFB5615PBFXKMA1
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Infineon Technologies
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V
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774En existencias
1,000En pedido
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$1.94
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$1.24
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$0.858
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$0.727
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Ver
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$0.583
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$0.578
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Min.: 1
Mult.: 1
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MOSFETs
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Si
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Through Hole
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TO-220AB-3
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N-Channel
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