2N397 Serie Transistor de unión de efecto de campo (JFET)

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Configuración
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Vds - Tensión disruptiva entre puerta y fuente
Voltaje de corte puerta-fuente
Corriente de la fuente de drenaje en VGS = 0
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Dp - Disipación de potencia
Serie
Empaquetado
InterFET Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET N-Channel -40V Low Noise
Hoja de datos
546En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-18-3 N-Channel Single 10 V - 40 V - 5 V 75 mA 5 mA 60 Ohms 300 mW 2N397 Bulk
InterFET Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET N-Channel -40V Low Noise
Hoja de datos
17En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-18-3 N-Channel Single 10 V - 40 V - 3 V 30 mA 5 mA 100 Ohms 300 mW 2N397 Bulk