2N51 Serie Transistor de unión de efecto de campo (JFET)

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Configuración
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Vds - Tensión disruptiva entre puerta y fuente
Voltaje de corte puerta-fuente
Corriente de la fuente de drenaje en VGS = 0
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Dp - Disipación de potencia
Serie
Empaquetado
InterFET Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET P-Channel 30V Low Noise
Hoja de datos
216En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-18-3 P-Channel Single - 15 V 30 V 10 V - 90 mA - 15 mA 75 Ohms 500 mW (1/2 W) 2N51 Bulk
InterFET Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET P-Channel 30V Low Noise
Hoja de datos
274En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-18-3 P-Channel Single - 15 V 30 V 4 V - 25 mA - 15 mA 150 Ohms 500 mW (1/2 W) 2N51 Bulk
InterFET Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET P-Channel 30V Low Noise
Hoja de datos
8En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-18-3 P-Channel Single - 15 V 30 V 6 V - 60 mA - 15 mA 100 Ohms 500 mW (1/2 W) 2N51 Bulk