BSS123 Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Empaquetado

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 190mA SOT-23-3
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Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 100 V 190 mA 2.4 Ohms - 20 V, 20 V 1.4 V 600 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT-23 N-CH LOGIC
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Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 100 V 170 mA 6 Ohms - 20 V, 20 V 800 mV 2.5 nC - 55 C + 150 C 300 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 100V
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Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 100 V 170 mA 6 Ohms - 20 V, 20 V 800 mV - 55 C + 150 C 360 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 360mW
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Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 100 V 170 mA 6 Ohms - 20 V, 20 V 800 mV - 55 C + 150 C 300 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 190mA SOT-23-3
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Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 100 V 190 mA 6 Ohms - 20 V, 20 V 1.4 V 600 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 190mA SOT-23-3
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Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 100 V 190 mA 2.4 Ohms - 20 V, 20 V 1.4 V 600 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 190mA SOT-23-3
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Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 100 V 190 mA 6 Ohms - 20 V, 20 V 800 mV 600 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 190mA SOT-23-3
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Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 100 V 190 mA 2.4 Ohms - 20 V, 20 V 1.4 V 600 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
Micro Commercial Components (MCC) Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
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Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 170 mA 10 Ohms - 20 V, 20 V 2.8 V 1.4 nC - 55 C + 150 C 350 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Micro Commercial Components (MCC) Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh FET 100Vds 0.17A 20Vgs 0.35W
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Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 100 V 170 mA 6 Ohms - 20 V, 20 V 1 V 1.4 nC - 55 C + 150 C 350 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel