CSD87588N Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Resultados: 2
Seleccionar Imagen N.° de pieza
 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Sync Buck NexFET Pwr Block II A 595-CSD8 A 595-CSD87588N
Hoja de datos
2,902En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 250

Si SMD/SMT PTAB-5 N-Channel 2 Channel 30 V 25 A 10.4 mOhms, 3.5 mOhms - 20 V, 20 V 1.9 V 3.2 nC, 13.7 nC - 55 C + 150 C 6 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Sync Buck NexFET Pow er Block II A 595-C A 595-CSD87588NT
Hoja de datos
2,206En existencias
2,500En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT PTAB-5 N-Channel 2 Channel 30 V 25 A 10.4 mOhms, 3.5 mOhms - 20 V, 20 V 1.9 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 6 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel