IXTA36P15 Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -36.0 Amps -150V 0.110 Rds
Hoja de datos
425En existencias
400En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) P-Channel 1 Channel 150 V 36 A 110 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 55 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement PolarP Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -36.0 Amps -150V 0.110 Rds
Hoja de datos
753En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) P-Channel 1 Channel 150 V 36 A 110 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 55 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement PolarP Reel, Cut Tape, MouseReel