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PJD Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 10

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Serie = PJD

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Empaquetado

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJD40P03E-AU_L2_006A1
Panjit
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2,989En existencias

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PJD40P03E-AU_L2_006A1

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241-PJD40P03EAUL26A1

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$0.536

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Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TO-252AA-3

P-Channel

1 Channel

30 V

33 A

30.7 mOhms

- 25 V, 25 V

2.5 V

22 nC

- 55 C

+ 175 C

33 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJD60P04E-AU_L2_006A1
Panjit
1: $1.12
2,881En existencias

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PJD60P04E-AU_L2_006A1

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241-PJD60P04EAUL26A1

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$0.701

$0.633

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$0.633

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TO-252AA-3

P-Channel

1 Channel

40 V

61 A

17.2 mOhms

- 25 V, 25 V

2.5 V

56 nC

- 55 C

+ 175 C

75 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJD70P03E-AU_L2_006A1
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$0.701

$0.60

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$0.60

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TO-252AA-3

P-Channel

1 Channel

30 V

77 A

13.5 mOhms

- 25 V, 25 V

2.5 V

54 nC

- 55 C

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Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJD75P04E-AU_L2_006A1
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: 3,000

SMD/SMT

TO-252AA-3

P-Channel

1 Channel

40 V

67 A

14.3 mOhms

- 25 V, 25 V

2.5 V

59 nC

- 55 C

+ 175 C

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Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJD45P03E-AU_L2_006A1
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$1.23

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TO-252AA-3

P-Channel

1 Channel

30 V

42 A

15 mOhms

- 25 V, 25 V

2.5 V

32 nC

- 55 C

+ 175 C

43 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

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PJD55P03E-AU_L2_006A1
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$1.83

$1.26

$1.04

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$0.965

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TO-252AA-3

P-Channel

1 Channel

30 V

48 A

12.1 mOhms

- 25 V, 25 V

2.5 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

3 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJD90P03E-AU_L2_006A1
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: 3,000

SMD/SMT

TO-252AA-3

P-Channel

1 Channel

30 V

88 A

6.4 mOhms

- 25 V, 25 V

2.5 V

68 nC

- 55 C

+ 175 C

79 W

Enhancement

AEC-Q101

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PJD95P04E-AU_L2_006A1
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PJD95P04E-AU_L2_006A1

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NRND

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SMD/SMT

TO-252AA-3

P-Channel

1 Channel

30 V

35 A

30 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

11 nC

- 55 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJD45P04_L2_00001
Panjit
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N.º de artículo del Fabricante
PJD45P04_L2_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJD45P04L200001

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Envase tipo carrete

$0.31

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MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

TO-252AA-3

P-Channel

1 Channel

40 V

45 A

25 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

19 nC

- 55 C

+ 150 C

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