Transistor de unión de efecto de campo (JFET)

Transistor de unión de efecto de campo (JFET)
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Configuración
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Vds - Tensión disruptiva entre puerta y fuente
Voltaje de corte puerta-fuente
Corriente de la fuente de drenaje en VGS = 0
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Dp - Disipación de potencia
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Serie
Calificación
Empaquetado
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Low Noise, Low Drift, Low Capacitance, Monolithic Dual, N-Channel JFET
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254En existencias
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Si SMD/SMT SOT-23-6 N-Channel Dual - 60 V 60 V - 3.5 V 5 mA 500 uA 400 mW - 55 C + 150 C LS844 Cut Tape
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Low Noise & Capacitance, High Input Impedance, N-Channel JFET
Hoja de datos
927En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-92-3 N-Channel Single 40 V - 40 V - 2 V 6.5 mA 2 mA 400 mW - 55 C + 150 C LSK170 Bulk
Central Semiconductor Transistor de unión de efecto de campo (JFET) N-ChJFET 25Vds25Vdg 25Vgs 10mA 310mW
Hoja de datos
2,878En existencias
Min.: 1
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Si N-Channel 2N5459 Bulk
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Low Noise & Capacitance, High Input Impedance, N-Channel JFET
Hoja de datos
1,000En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-92-3 N-Channel Single 40 V - 40 V - 2 V 12 mA 2 mA 400 mW - 55 C + 150 C LSK170 Bulk
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Low Noise, Monolithic Dual, N-Channel JFET
Hoja de datos
410En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-71-6 N-Channel Dual 40 V - 40 V 6 mV 12 mA 2 mA 400 mW - 55 C + 150 C LSK389 Bulk
Central Semiconductor Transistor de unión de efecto de campo (JFET) N-CH -25V 10mA BULK 25Vgs 360mW 8pF
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11,173En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-92-3 Bulk
InterFET Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET N-Channel -25V Low Ciss
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912En existencias
Min.: 1
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Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel Single 15 V - 25 V - 3 V 5 mA Bulk
Central Semiconductor Transistor de unión de efecto de campo (JFET) N-Ch 25Vdg JFET 25Vgs 30mA 10mA
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3,570En existencias
2,351En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-92-3 N-Channel Bulk
Microchip Technology Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET
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15En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
No
Si Through Hole TO-18-3 P-Channel Single 30 V 750 mV to 6 V - 5 mA to - 1 mA 300 mW - 65 C + 200 C Bulk
Central Semiconductor Transistor de unión de efecto de campo (JFET) N-Ch 35Vgd 35Vgs 35Vds 10mA 300mW
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2,315En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-72-4 N-Channel Single 35 V 35 V 6 V 15 mA 300 mW - 65 C + 200 C 2N4416A Bulk
InterFET Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET N-Channel -30V Low Noise
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149En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-18-3 N-Channel Single 15 V - 30 V - 4 V 80 mA 500 pA 60 Ohms 1.8 W 2N486 Bulk
InterFET Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET N-Channel -25V Low Noise
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140En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-52-3 N-Channel Single 10 V - 25 V - 6 V 60 mA 1 nA 500 mW (1/2 W) U308 Bulk
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Low Noise & Capacitance, High Input Impedance, N-Channel JFET
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103En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel Single 40 V - 40 V - 2 V 6.5 mA 2 mA 400 mW - 55 C + 150 C LSK170 Cut Tape
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Low Noise, Monolithic Dual, N-Channel JFET
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112En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel Dual 40 V - 40 V 6 mV 12 mA 2 mA 400 mW - 55 C + 150 C LSK389 Cut Tape
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Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000

Si Through Hole TO-92-3 N-Channel Ammo Pack
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Wideband, High Gain, Monolithic Dual, N- Channel JFET
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64En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT SOT-23-6 N-Channel Dual - 25 V - 25 V - 5 V 40 mA 5 mA 500 mW - 55 C + 150 C LS5911 Cut Tape
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Wideband, High Gain, Monolithic Dual, N- Channel JFET
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83En existencias
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Si SMD/SMT SOT-23-6 N-Channel Dual - 25 V - 25 V - 5 V 40 mA 5 mA 500 mW - 55 C + 150 C LS5911 Cut Tape
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Si SMD/SMT SOT-23-6 N-Channel Dual 60 V - 60 V 8 mV 5 mA 2 mA 500 mW - 55 C + 150 C LSK489 Cut Tape
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Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) High Gain, Single N-Channel JFET Amplifier
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Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel Single 40 V - 40 V - 2 V 12 mA 2 mA 400 mW - 55 C + 150 C LSBF510 NPoS Cut Tape
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Low Noise & Capacitance, High Input Impedance, N-Channel JFET
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83En existencias
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Mult.: 1

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel Single 40 V - 40 V - 2 V 30 mA 2 mA 400 mW - 55 C + 150 C LSK170 Cut Tape
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Low Noise & Capacitance, High Input Impedance, N-Channel JFET
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46En existencias
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Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel Single 40 V - 40 V - 2 V 20 mA 2 mA 400 mW - 55 C + 150 C LSK170 Cut Tape
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Low Noise, Low Capacitance, Monolithic Dual, N-Channel JFET
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62En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT SOT-23-6 N-Channel Dual 60 V - 60 V 8 mV 11.5 mA 2 mA 500 mW - 55 C + 150 C LSK489 Cut Tape
Central Semiconductor Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 8V,10mA,360mW Through-Hole JFET N Channel
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349En existencias
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Mult.: 1

Si Through Hole TO-92-3 N-Channel Bulk
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Ultra Low Noise, Low Drift, Single N-Channel JFET
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102En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel Single 60 V - 60 V - 3.5 V 5 mA 2 mA 300 mW - 55 C + 150 C LSK189 Cut Tape