Módulos MOSFET

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Serie
Empaquetado
GeneSiC Semiconductor Módulos MOSFET 1200V 5mohm Half-Bridge SiCPAK G SiC Module
Hoja de datos
96En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Press Fit SiCPAK N-Channel 1.2 kV 216 A 4.6 mOhms 2.2 V - 40 C + 175 C 444 mW SiCPAK G Tray
GeneSiC Semiconductor Módulos MOSFET 1200V 5mohm Half-Bridge SiCPAK G SiC Module, TIM
Hoja de datos
91En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Press Fit SiCPAK N-Channel 1.2 kV 216 A 4.6 mOhms 2.2 V - 40 C + 175 C 444 mW SiCPAK F Tray
GeneSiC Semiconductor Módulos MOSFET 1200V 9mohm Full-Bridge SiCPAK G SiC Module
Hoja de datos
96En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Press Fit SiCPAK N-Channel 1.2 kV 104 A 12.5 mOhms - 40 C + 175 C 216 W SiCPAK G Tray
GeneSiC Semiconductor Módulos MOSFET 1200V 9mohm Full-Bridge SiCPAK G SiC Module, TIM
Hoja de datos
96En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Press Fit SiCPAK N-Channel 1.2 kV 104 A 12.5 mOhms - 40 C + 175 C 216 W SiCPAK F Tray
SemiQ Módulos MOSFET SiC 1200V 5mohm MOSFET Half-Bridge Module
Hoja de datos
34En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 40

SiC Screw Mount N-Channel 1.2 kV 383 A 4.4 mOhms - 5 V, + 20 V 1.8 V - 40 C + 175 C 1.154 kW GCMX Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Módulos MOSFET CoolSiC MOSFET half bridge module 1200 V
Hoja de datos
17En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount 1.2 kV 190 A 4.44 mOhms - 7 V, + 20 V, - 10 V, + 23 V 5.1 V - 40 C + 175 C CoolSiC Tray
Infineon Technologies Módulos MOSFET CoolSiC MOSFET half bridge module 1200 V
Hoja de datos
51En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount 1.2 kV 220 A 4.44 mOhms - 7 V, + 20 V, - 10 V, + 23 V 5.1 V - 40 C + 175 C CoolSiC Tray
Infineon Technologies Módulos MOSFET CoolSiC MOSFET half bridge module 2000 V
Hoja de datos
5En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Screw Mount N-Channel Tray
Infineon Technologies Módulos MOSFET CoolSiC MOSFET half-bridge module 1200 V
Hoja de datos
51En existencias
84En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

Si 1.2 kV 170 A - 10 V, + 23 V 5.15 V M1H Tray
Infineon Technologies Módulos MOSFET 62 mm C-Series module with CoolSiC Trench MOSFET
Hoja de datos
9En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si 62 mm C-Series Tray
Infineon Technologies Módulos MOSFET 62 mm C-Series module with CoolSiC Trench MOSFET and pre-applied thermal interface material
Hoja de datos
17En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si 62 mm C-Series Tray
ROHM Semiconductor Módulos MOSFET 1200V, 291A, Half bridge, Full SiC-Power Module with Trench MOSFET
Hoja de datos
4En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount Module N-Channel 2 Channel 1.2 kV 291 A - 4 V, + 21 V 4.8 V - 40 C + 150 C 925 W Bulk
ROHM Semiconductor Módulos MOSFET 1200V, 567A, Half bridge, Full SiC-Power Module with Trench MOSFET
Hoja de datos
4En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount Module N-Channel 2 Channel 1.2 kV 567 A - 4 V, + 21 V 4.8 V - 40 C + 150 C 1.78 kW Bulk
onsemi Módulos MOSFET 1200V 3M M3S SIC HALFBRIDGE WITH SI3N4 DBC IN F2 MODULES
Hoja de datos
53En existencias
60En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Press Fit PIM-36 1.2 kV 435 A 5.88 mohms - 10 V, + 22 V 2.4 V - 40 C + 175 C 1.482 kW NXH003P120M3F2PTNG Tray
onsemi Módulos MOSFET 1200V 4M M3S SIC HALFBRIDGE WITH HPS DBC IN F2 MODULES
Hoja de datos
26En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Press Fit PIM-36 1.2 kV 284 A 7.5 mohms - 10 V, + 22 V 2.8 V - 40 C + 175 C 785 W NXH004P120M3F2PTHG Tray
onsemi Módulos MOSFET 1200V 4M M3S SIC HALFBRIDGE WITH SI3N4 DBC IN F2 MODULES
Hoja de datos
10En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC NXH004P120M3F2PTNG Tray
onsemi Módulos MOSFET 11M 1200V 40A M3S SIC TNPC MODULE
Hoja de datos
29En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Press Fit PIM-29 1.2 kV 91 A 11.9 mOhms - 10 V, + 22 V 1.8 V - 40 C + 150 C 272 W NXH011T120M3F2PTHG Tray
onsemi Módulos MOSFET APM32 SIC POWER MODULE
Hoja de datos
40En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Through Hole APM-32 N-Channel 4 Channel 1.2 kV 31 A 116 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V - 55 C + 175 C 208 W NVXK2PR80WXT2 Tube
onsemi Módulos MOSFET APM32 SIC H-BRIDGE POWER MODULE
Hoja de datos
33En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Through Hole APM-32 N-Channel 4 Channel 1.2 kV 27 A 59 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V - 55 C + 175 C 319 W NVXK2TR40WXT Tube
onsemi Módulos MOSFET APM32 SIC H-BRIDGE POWER MODULE
Hoja de datos
48En existencias
60En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Through Hole APM-32 N-Channel 4 Channel 1.2 kV 20 A 116 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V - 40 C + 175 C 82 W NVXK2TR80WDT Tube
onsemi Módulos MOSFET APM32 SIC POWER MODULE
Hoja de datos
41En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC SMD/SMT APM-32 1.2 kV 31 A 59 mOhms - 15 V, + 25 V 3 V - 55 C + 175 C 102 W NVXK2VR40WDT2 Tube
onsemi Módulos MOSFET APM32 SIC POWER MODULE
Hoja de datos
60En existencias
60En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Through Hole APM-32 N-Channel 6 Channel 1.2 kV 20 A 116 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V - 55 C + 175 C 82 W NVXK2VR80WDT2 Tube
onsemi Módulos MOSFET APM32 SIC POWER MODULE
Hoja de datos
42En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Through Hole APM-32 N-Channel 6 Channel 1.2 kV 31 A 116 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V - 55 C + 175 C 208 W NVXK2VR80WXT2 Tube
onsemi Módulos MOSFET SIC 900V 8D MOSFET V-SSDC SPB
Hoja de datos
3En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC SMD/SMT SSDC-39 900 V 620 A 2.1 mOhms - 8 V, + 22 V 2.7 V - 40 C + 175 C 1 kW NVXR17S90M2SPB Tray
onsemi Módulos MOSFET SIC 900V 8D MOSFET V-SSDC SPC
Hoja de datos
4En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC SMD/SMT SSDC-39 900 V 620 A 2.1 mOhms - 8 V, + 22 V 2.7 V - 40 C + 175 C 1 kW NVXR17S90M2SPC Tray