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289 Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

IAUZN10S7L289ATMA1
Infineon Technologies
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IAUZN10S7L289ATMA1

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726-IAUZN10S7L289ATM

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

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OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 55V 540mA SOT-23-3

SP000928950
Infineon Technologies
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SP000928950

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726-SP000928950

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 55V 540mA SOT-23-3

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BSS308PEH6327XTSA1
Infineon Technologies
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BSS308PEH6327XTSA1

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Infineon Technologies

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -30V -1.5A SOT-23-3

BSS314PEH6327XTSA1
Infineon Technologies
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BSS314PEH6327XTSA1

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726-BSS314PEH6327XTS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -30V -1.5A SOT-23-3

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AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPB80R290C3AATMA2
Infineon Technologies
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IPB80R290C3AATMA2

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726-IPB80R290C3AATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

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BSS315P H6327
Infineon Technologies
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BSS315P H6327

N.º de artículo de Mouser
726-BSS315PH6327XT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -30V -1.5A SOT-23-3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -30V -1.5A SOT-23-3

BSS314PEH6327XT
Infineon Technologies
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BSS314PEH6327XT

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -30V -1.5A SOT-23-3

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SOT-23-3

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30 V

1.5 A

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Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET UP TO 60V

IRF8714TRPBFXTMA1
Infineon Technologies
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N.º de artículo del Fabricante
IRF8714TRPBFXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IRF8714TRPBFXTMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET UP TO 60V

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Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

IPP015N04NF2SAKMA1
Infineon Technologies
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956En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPP015N04NF2SAKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP015N04NF2SAKM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

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Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 1.5A SOT-23-3

BSS214NH6327XTSA1
Infineon Technologies
1: $0.37
36,186En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSS214NH6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSS214NH6327

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 1.5A SOT-23-3

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AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

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PMCB60XNEZ
Nexperia
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N.º de artículo del Fabricante
PMCB60XNEZ

N.º de artículo de Mouser
771-PMCB60XNEZ

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT8026 N-CH 30V 3.5A

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 1.4A SOT-23-3

BSS316NH6327XTSA1
Infineon Technologies
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N.º de artículo del Fabricante
BSS316NH6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSS316NH6327

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 1.4A SOT-23-3

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1 Channel

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1.4 A

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1.2 V

600 pC

- 55 C

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500 mW

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -20V -1.5A SOT-23-3

BSS215PH6327XT
Infineon Technologies
1: $0.42
25,601En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSS215PH6327XT

N.º de artículo de Mouser
726-BSS215PH6327XTSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -20V -1.5A SOT-23-3

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SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

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1.5 A

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- 12 V, 12 V

1.2 V

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500 mW

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 2.3A SOT-23-3

BSS306N H6327
Infineon Technologies
1: $0.43
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BSS306N H6327

N.º de artículo de Mouser
726-BSS306NH6327XT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 2.3A SOT-23-3

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$0.098

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1 Channel

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2.3 A

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1.6 V

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AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 2.3A SOT-23-3

BSS306NH6327XTSA1
Infineon Technologies
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N.º de artículo del Fabricante
BSS306NH6327XTSA1

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726-BSS306NH6327

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 2.3A SOT-23-3

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$0.095

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SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

30 V

2.3 A

57 mOhms

- 20 V, 20 V

1.6 V

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500 mW

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AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -30V -1.5A SOT-23-3

BSS315PH6327XTSA1
Infineon Technologies
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BSS315PH6327XTSA1

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726-BSS315PH6327

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -30V -1.5A SOT-23-3

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P-Channel

1 Channel

30 V

1.5 A

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AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -20V -1.5A SOT-23-3

BSS215PH6327XTSA1
Infineon Technologies
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N.º de artículo del Fabricante
BSS215PH6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSS215PH6327

Infineon Technologies

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$0.10

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20 V

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AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 1.5A SOT-23-3

BSS214NH6327XT
Infineon Technologies
1: $0.38
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N.º de artículo del Fabricante
BSS214NH6327XT

N.º de artículo de Mouser
726-BSS214NH6327XTSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 1.5A SOT-23-3

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$0.38

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1 Channel

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1.5 A

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Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -30V -1.5A SOT-23-3

BSS315PH6327XT
Infineon Technologies
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BSS315PH6327XT

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726-BSS315PH6327XTSA

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -30V -1.5A SOT-23-3

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Infineon Technologies
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BSS670S2LH6327XT

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 55V 540mA SOT-23-3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 55V 540mA SOT-23-3

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Infineon Technologies
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BSS670S2LH6327XTSA1

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55 V

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