Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 160A Id AEC-Q101 Qualified
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13,796En existencias
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: 2,000

Si SMD/SMT PowerPAK-8x8-4 N-Channel 1 Channel 40 V 160 A 900 uOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 220 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds -/+20V Vgs AEC-Q101 Qualified
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30,481En existencias
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: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8W-8 N-Channel 1 Channel 60 V 8 A 36 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 13 nC - 55 C + 175 C 39 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 100V 37.1A P-CH MOSFET
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17,522En existencias
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: 2,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 100 V 37.1 A 43 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 54 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 8V Vgs SOT-23
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178,404En existencias
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: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 20 V 2.9 A 57 mOhms - 8 V, 8 V 850 mV 3.5 nC - 55 C + 150 C 860 mW Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 30A 5.4W 3.0mohm @10V
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23,491En existencias
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: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 1 Channel 30 V 30 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 36 nC - 55 C + 150 C 5.4 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FET 50V 3.5 OHM
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1,121,189En existencias
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: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 50 V 220 mA 3.5 Ohms - 20 V, 20 V 800 mV 1.7 nC - 55 C + 150 C 350 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 FAST 650V TO247
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839En existencias
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 75 A 19.3 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 282 nC - 55 C + 150 C 625 W Enhancement Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FAST 650V TO220
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3,626En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 47 A 55 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 96 nC - 55 C + 150 C 305 W Enhancement SuperFET III Tube
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 FAST 165MOHM TO-220F
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11,916En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 19 A 165 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 35 nC - 55 C + 150 C 33 W Enhancement Tube

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLANAR FET
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24,002En existencias
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: 4,000

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 55 V 5.1 A 65 mOhms, 65 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 29 nC - 55 C + 175 C 2.4 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 7.7A DSO-8 OptiMOS 3M
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62,857En existencias
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: 2,500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 30 V 7.7 A 21.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 7.8 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 3 mOhm typ., 130 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 p
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20,021En existencias
21,000En pedido
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: 3,000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel 1 Channel 60 V 130 A 3.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 42 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 400 V, 0.063 Ohm typ., 38 A MDmesh DM2 Power MOSFET i
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4,710En existencias
1,000En pedido
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 400 V 38 A 72 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 56 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement AEC-Q101 MDmesh Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SprFET2 650V 190mohm FRFET TO247 longlea
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6,020En existencias
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20.6 A 168 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 60 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement SuperFET II Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
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27,908En existencias
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: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 150 V 51 A 31 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 33 nC - 55 C + 150 C 132 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
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55,184En existencias
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: 3,000

Si SMD/SMT Power-33-8 N-Channel 1 Channel 150 V 16 A 51 mOhms - 20 V, 20 V 2.9 V 6 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel PowerTrench MOSFET
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3,387En existencias
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: 3,000

Si SMD/SMT Power-56-8 N-Channel 1 Channel 60 V 155 A 1.4 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 110 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 20A NCH MOSFET
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7,358En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 20 A 230 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 59.5 nC - 55 C + 150 C 38.5 W Enhancement Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 4.5a .3 Ohms/VGS=1V
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30,419En existencias
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: 2,500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 100 V 4.5 A 50 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 15 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1000V N-Channe MOSFET
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10,863En existencias
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Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 8 A 1.45 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 70 nC - 55 C + 150 C 225 W Enhancement QFET Tube

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs Complmtry Enh FET
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374,304En existencias
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Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT TSOT-26-6 N-Channel, P-Channel 2 Channel 30 V 2.8 A, 3.4 A 100 mOhms, 140 mOhms - 20 V, 20 V 1 V, 2.3 V 9 nC, 7 nC - 55 C + 150 C 1.27 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIFFERENTIATED MOSFETS
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77,139En existencias
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Min.: 1
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: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 64 A 5.3 mOhms - 20 V, 20 V 1.1 V 13 nC - 55 C + 150 C 46 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
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39,942En existencias
15,000En pedido
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Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 2.9 mOhms - 16 V, 16 V 1.6 V 25 nC - 55 C + 175 C 62 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 230A 200V
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903En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 200 V 230 A 7.5 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 358 nC - 55 C + 175 C 1.67 kW Enhancement HiPerFET Tube


IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) ISOPLUS 4.7KV 2A N-CH HIVOLT
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341En existencias
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Si Through Hole ISOPLUS-i5-PAK-3 N-Channel 1 Channel 4.7 kV 2 A 20 Ohms - 20 V, 20 V 3.5 V 180 nC - 55 C + 150 C 220 W Enhancement ISOPLUS i5-PAC Tube