Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
Diodes Incorporated DMP21D1UFB4Q-7B
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V 24V X2-DFN1006-3 T&R 10K 7,496En existencias
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Diodes Incorporated DMT3009LSSQ-13
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V 30V SO-8 T&R 2.5K 1,964En existencias
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: 2,500

Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors SI2318HDS-T1-GE3
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET 7,336En existencias
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Vishay Semiconductors SIRA10DDP-T1-UE3
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET 2,990En existencias
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Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
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6,594En existencias
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Si SMD/SMT PowerPAK 1212-8 P-Channel 1 Channel 30 V 195 A 1.7 mOhms - 20 V, 16 V 2.5 V 172.5 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement TrenchFET
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
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5,739En existencias
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: 1,800

Si SMD/SMT HDSOP-16 N-Channel 1 Channel 150 V 190 A 3.9 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 74 nC - 55 C + 175 C 319 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET
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10,119En existencias
12,000En pedido
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Si SMD/SMT PowerPAK 8 x 8L-4 N-Channel 1 Channel 100 V 296 A 2.53 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 181 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
iDEAL Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
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142En existencias
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: 100

Si SMD/SMT PDFN-8 N-Channel 1 Channel 200 V 45 A 25 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 27.5 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement SuperQ Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250 A, 40 V, Automotive Power MOSFET with OptiMOS-7 Technology
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2,288En existencias
200En pedido
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OptiMOS Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL LFPAK
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1,454En existencias
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: 3,000

Si SMD/SMT LFPAK-4 N-Channel 1 Channel 80 V 77 A 7.8 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 34 nC - 55 C + 175 C 89 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
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7,404En existencias
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Si OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 400V 3.1A N-CH MOSFET
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24,475En existencias
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: 2,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 400 V 3.1 A 1.8 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 20 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWRPK 600V 24A N-CH MOSFET
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5,012En existencias
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: 2,000

Si SMD/SMT PowerPAK 10 x 12 N-Channel 1 Channel 600 V - 20 V, 20 V 5 V - 55 C + 150 C Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
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21,952En existencias
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: 3,000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 30 V 437 A 1.158 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 99 nC - 55 C + 175 C 500 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 650V
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417En existencias
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Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 650 V 40 A 65 mOhms 30 V 5 V 132 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAKSO8 N-CH 30V 58A
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5,645En existencias
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Si SMD/SMT PowerPAK 1212-8 N-Channel 1 Channel 30 V 58 A 5.1 mOhms - 16 V, 20 V 2.2 V 19.4 nC - 55 C + 150 C 31.2 W Enhancement TrenchFET
Vishay Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
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2,703En existencias
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Si SMD/SMT 1212-8S N-Channel 1 Channel 60 V 81.2 A 4.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 15.2 nC - 55 C + 150 C 4.8 W
Vishay Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET
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3,160En existencias
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: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK SO-8L N-Channel 1 Channel 100 V 37 A 64 mOhms 20 V 2.5 V 84 nC - 55 C + 175 C 88 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 650V
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428En existencias
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Si SMD/SMT TO-247AC N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 190 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 33 nC - 55 C + 150 C 179 W Enhancement Vishay
Vishay Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAK1212 N-CH 40V 31.7A
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5,935En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8S N-Channel 1 Channel 40 V 109 A 2.65 mOhms - 16 V, 20 V 2.4 V 40.5 nC - 55 C + 150 C 56.8 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LVMOS SOP-8-ADV
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5,154En existencias
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Si SMD/SMT SOP-8 P-Channel 1 Channel 30 V 45 A 4 mOhms - 25 V, 20 V 2 V 190 nC + 150 C 45 W Enhancement
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Hoja de datos
9,912En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK 1212-8 N-Channel 1 Channel 60 V 18 A 23 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 19 nC - 55 C + 175 C 62.5 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
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3,278En existencias
6,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 P-Channel 1 Channel 60 V 90.9 A 7 mOhms - 20 V, 20 V 2.6 V 74 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs SO-8
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25,927En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 100 V 19.7 A 8 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 69 nC - 55 C + 150 C 7.8 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 37A P-Channel
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11,968En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 100 V 36.4 A 43 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 106 nC - 55 C + 150 C 113.6 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel