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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

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Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL LFPAK

NTMYS006N08LHTWG
onsemi
1: $3.23
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N.º de artículo del Fabricante
NTMYS006N08LHTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NTMYS006N08LHTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL LFPAK

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1,454En existencias

Cinta cortada

$3.23

$3.14

$2.31

$1.94

$1.66

Envase tipo carrete

$1.12

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

80 V

77 A

7.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

89 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V 390mohm 10A Easy to driver SJ MOSFET

PJMF210N65EC_T0_00601
Panjit
1: $2.68
1,700En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJMF210N65EC_T0_00601

N.º de artículo de Mouser
241-PJMF210N65ET0601

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V 390mohm 10A Easy to driver SJ MOSFET

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Hoja de datos

1,700En existencias

$2.68

$1.32

$1.18

$1.05

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

ITO-220AB-F-3

N-Channel

1 Channel

650 V

19 A

210 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

19 nC

- 55 C

+ 150 C

32 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 190mohm 20.6A Easy to driver SJ MOSFET

PJMH190N60E1_T0_00601
Panjit
1: $2.04
1,439En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJMH190N60E1_T0_00601

N.º de artículo de Mouser
241-PJMH190N60E1T061

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 190mohm 20.6A Easy to driver SJ MOSFET

Hoja de datos

1,439En existencias

$2.04

$1.85

Min.: 1
Mult.: 1

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 5mohm Low FOM MOSFET

PSMP050N10NS2_T0_00601
Panjit
1: $2.60
1,630En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PSMP050N10NS2_T0_00601

N.º de artículo de Mouser
241-PSMP050N10NS2T06

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 5mohm Low FOM MOSFET

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1,630En existencias

$2.60

$1.28

$1.18

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220AB-L-3

N-Channel

1 Channel

100 V

120 A

5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

40.5 nC

- 55 C

+ 150 C

138 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 650V 21A N-CH MOSFET

R6007RND3TL1
ROHM Semiconductor
1: $1.36
5,600En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6007RND3TL1

N.º de artículo de Mouser
755-R6007RND3TL1

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 650V 21A N-CH MOSFET

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5,600En existencias

Cinta cortada

$1.36

$0.965

$0.804

$0.773

$0.76

Envase tipo carrete

$0.736

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

TO-252-3

N-Channel

1 Channel

600 V

7 A

940 mOhms

- 30 V, 30 V

7 V

17.5 nC

- 55 C

+ 150 C

96 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 600V 30A N-CH MOSFET

R6030KNZ4C13
ROHM Semiconductor
1: $8.15
1,684En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6030KNZ4C13

N.º de artículo de Mouser
755-R6030KNZ4C13

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 600V 30A N-CH MOSFET

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Hoja de datos

1,684En existencias

$8.15

$4.83

$4.12

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

30 A

130 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

56 nC

- 55 C

+ 150 C

305 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSOP8 100V 100A

RS6P100BHTB1
ROHM Semiconductor
1: $4.01
1,246En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RS6P100BHTB1

N.º de artículo de Mouser
755-RS6P100BHTB1

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSOP8 100V 100A

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1,246En existencias

Cinta cortada

$4.01

$2.64

$1.86

$1.67

$1.62

Envase tipo carrete

$1.57

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

HSOP-8

N-Channel

1 Channel

100 V

100 A

5.9 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Nch, 100V(Vdss), 70A(Id), (6.0V, 10V Drive)

RX3P07BBHC16
ROHM Semiconductor
1: $4.58
1,789En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RX3P07BBHC16

N.º de artículo de Mouser
755-RX3P07BBHC16

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Nch, 100V(Vdss), 70A(Id), (6.0V, 10V Drive)

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Hoja de datos

1,789En existencias

$4.58

$3.05

$2.16

$1.88

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220AB-3

N-Channel

1 Channel

100 V

80 A

8.4 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

38 nC

- 55 C

+ 150 C

89 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 200V 4.8A N-CH MOSFET

IRFR220TRPBF-BE3
Vishay Semiconductors
1: $2.12
20,792En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFR220TRPBF-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-IRFR220TRPBF-BE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 200V 4.8A N-CH MOSFET

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20,792En existencias

Cinta cortada

$2.12

$1.36

$0.917

$0.73

$0.695

Envase tipo carrete

$0.658

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

200 V

4.8 A

800 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

14 nC

- 55 C

+ 150 C

42 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V

SIHB080N60E-GE3
Vishay Semiconductors
1: $6.19
4,243En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHB080N60E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHB080N60E-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V

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4,243En existencias

$6.19

$3.28

$3.00

$2.83

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

35 A

80 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

63 nC

- 55 C

+ 150 C

227 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAK1212 N-CH 30V 18A

SISA18BDN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: $1.15
8,650En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SISA18BDN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SISA18BDN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAK1212 N-CH 30V 18A

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Hoja de datos

8,650En existencias

Cinta cortada

$1.15

$0.719

$0.473

$0.367

Envase tipo carrete

$0.288

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK 1212-8PT

N-Channel

1 Channel

30 V

60 A

6.83 mOhms

- 16 V, 20 V

2.4 V

6.2 nC

- 55 C

+ 150 C

36.8 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ186EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: $1.61
24,074En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ186EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ186EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET

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Hoja de datos

24,074En existencias

Cinta cortada

$1.61

$1.02

$0.681

$0.536

Envase tipo carrete

$0.48

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

80 V

60 A

15 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

24 nC

- 55 C

+ 175 C

135 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQS142ELNW-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: $1.36
12,691En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQS142ELNW-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQS142ELNW-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

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Hoja de datos

12,691En existencias

Cinta cortada

$1.36

$0.853

$0.565

$0.441

$0.402

Envase tipo carrete

$0.356

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

40 V

110 A

4.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.3 V

23 nC

- 55 C

+ 175 C

113 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V NCH FRFET

FCB20N60FTM
onsemi
1: $6.39
9,306En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FCB20N60FTM

N.º de artículo de Mouser
512-FCB20N60FTM

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V NCH FRFET

Hoja de datos

9,306En existencias

Cinta cortada

$6.39

$4.42

$3.23

$3.14

Envase tipo carrete

$3.05

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

20 A

150 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

98 nC

- 55 C

+ 150 C

208 W

Enhancement

SuperFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperFET3 650V 67 mOhm

FCPF067N65S3
onsemi
1: $7.36
4,502En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FCPF067N65S3

N.º de artículo de Mouser
512-FCPF067N65S3

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperFET3 650V 67 mOhm

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Hoja de datos

4,502En existencias

$7.36

$3.97

$3.93

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

44 A

67 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

78 nC

- 55 C

+ 150 C

46 W

Enhancement

SuperFET III

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V TO263 7L JEDEC GREEN EMC

FDB0170N607L
onsemi
1: $5.30
9,412En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FDB0170N607L

N.º de artículo de Mouser
512-FDB0170N607L

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V TO263 7L JEDEC GREEN EMC

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Hoja de datos

9,412En existencias

Cinta cortada

$5.30

$3.53

$2.53

$2.48

Envase tipo carrete

$2.32

$2.27

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

60 V

300 A

3.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

173 nC

- 55 C

+ 175 C

3.8 W

Enhancement

PowerTrench

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100/20V Nch Power Trench

FDMS86101
onsemi
1: $2.62
33,459En existencias
32,862En pedido

N.º de artículo del Fabricante
FDMS86101

N.º de artículo de Mouser
512-FDMS86101

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100/20V Nch Power Trench

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Hoja de datos

33,459En existencias

32,862En pedido

Cinta cortada

$2.62

$1.84

$1.34

$1.07

$1.05

Envase tipo carrete

$1.03

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

Power-56-8

N-Channel

1 Channel

100 V

12.4 A

8 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

55 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

PowerTrench

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series

FQD5N60CTM
onsemi
1: $1.29
44,558En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FQD5N60CTM

N.º de artículo de Mouser
512-FQD5N60CTM

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series

Hoja de datos

44,558En existencias

Cinta cortada

$1.29

$0.971

$0.768

$0.554

$0.524

Envase tipo carrete

$0.519

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

2.8 A

2.5 Ohms

- 30 V, 30 V

2 V

19 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V

DMG2302UKQ-7
Diodes Incorporated
1: $0.34
85,955En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMG2302UKQ-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMG2302UKQ-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V

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Hoja de datos

85,955En existencias

Cinta cortada

$0.34

$0.221

$0.173

Envase tipo carrete

$0.173

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

20 V

2.8 A

90 mOhms

- 12 V, 12 V

300 mV

2.8 nC

- 55 C

+ 150 C

1.1 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Pch, -60V(Vdss), -35A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)

RD3L03BATTL1
ROHM Semiconductor
1: $1.85
24,901En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RD3L03BATTL1

N.º de artículo de Mouser
755-RD3L03BATTL1

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Pch, -60V(Vdss), -35A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)

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Hoja de datos

24,901En existencias

Cinta cortada

$1.85

$1.16

$0.883

$0.702

$0.651

Envase tipo carrete

$0.619

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

TO-252-3

P-Channel

1 Channel

60 V

35 A

41 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

37 nC

- 55 C

+ 150 C

56 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=0.8A VDSS=20V

SSM6L14FE(TE85L,F)
Toshiba
1: $0.47
271,949En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6L14FE(TE85L,F)

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6L14FETE85LF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=0.8A VDSS=20V

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Hoja de datos

271,949En existencias

Cinta cortada

$0.47

$0.286

$0.181

$0.135

Envase tipo carrete

$0.086

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 4,000

SMD/SMT

SOT-563-6

N-Channel, P-Channel

2 Channel

20 V

80 mA, 720 mA

240 mOhms, 300 mOhms

- 10 V, - 8 V, 8 V, 10 V

350 mV, 1 V

2 nC, 1.76 nC

- 55 C

+ 150 C

150 mW

Enhancement

U-MOSIII / U-MOSV

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 68W 1MHz Automotive; AEC-Q101

TJ40S04M3L,LXHQ
Toshiba
1: $1.61
46,500En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TJ40S04M3L,LXHQ

N.º de artículo de Mouser
757-TJ40S04M3L,LXHQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 68W 1MHz Automotive; AEC-Q101

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Hoja de datos

Comentarios de Producto

46,500En existencias

Cinta cortada

$1.61

$1.02

$0.68

$0.537

$0.488

Envase tipo carrete

$0.443

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

40 V

40 A

9.1 mOhms

- 20 V, 10 V

3 V

83 nC

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180W 1MHz Automotive; AEC-Q101

TK1R4S04PB,LXHQ
Toshiba
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TK1R4S04PB,LXHQ

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180W 1MHz Automotive; AEC-Q101

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

120 A

1.35 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

103 nC

+ 175 C

180 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOP8 100V 150A N-CH MOSFET

TPH3R70APL,L1Q
Toshiba
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SMD/SMT

SOP-8

N-Channel

1 Channel

100 V

150 A

3.7 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

67 nC

- 55 C

+ 175 C

170 W

Enhancement

U-MOSIX-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 N-CH 30V 3.1A

SI2300DS-T1-BE3
Vishay / Siliconix
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SI2300DS-T1-BE3

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78-SI2300DS-T1-BE3

Vishay / Siliconix

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SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

30 V

3.6 A

68 mOhms

- 12 V, 12 V

1.5 V

3 nC

- 55 C

+ 150 C

1.7 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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YAGEO

1212-8S
1212-8SCD
1212-8SLW
1212-8W
2-10AF1A-9
2-10AG1A
6x5F
8 x 8LR
ACEPACK SMIT-9
APMCA-16
ATPAK-3
BGA-10
BGA-6
CCPAK1212
CCPAK1212-12
CCPAK1212i-12
CSP-6
CSPB1313-4
CSPB1515-4
CSPB2718-6

6 V
8 V
8 V, 8 V
9 V
10 V
10.6 V
12 V
12 V, 20 V
15 V
16 V
16.5 V
18 V
19 V
20 V
20 V, 12 V
20 V, 20 V
20 V, 30 V
20 V, 8 V
21 V, 20 V
22 V

150 uA
250 uA
520 uA
2 mA
2 mA, 4.8 mA
4.8 mA
5 mA
12 mA
13 mA
16 mA, 40 mA
19 mA
20 mA
21 mA
30 mA
35 mA
50 mA
53 mA
54 mA
60 mA
70 mA

290 uOhms
310 uOhms
350 uOhms
360 uOhms
390 uOhms
400 uOhms
410 uOhms
0.42 mOhms
420 uOhms
440 uOhms
450 uOhms
460 uOhms
470 uOhms
480 uOhms
490 uOhms
500 uOhms
510 uOhms
520 uOhms
530 uOhms
540 uOhms

- 500 mV, 5 V
- 500 mV, 8 V
- 200 mV, 7 V
- 40 V, 40 V
- 31 V, 31 V
- 30 V, - 20 V, 20 V, 30 V
- 30 V, 25 V
- 30 V, 30 V
- 25 V, - 16 V, 16 V, 25 V
- 25 V, - 20 V, 20 V, 25 V
- 25 V, 20 V
- 25 V, 25 V
- 25 V, 30 V
- 22 V, 22 V
- 21 V, 21 V
- 20 V to 20 V
- 20 V, - 12 V, 12 V, 20 V
- 20 V, - 12 V, 16 V, 20 V
- 20 V, 10 V
- 20 V, 12 V

0 V
20 mV
180 mV
220 mV
300 mV
350 mV
350 mV, 1 V
350 mV, 1.4 V
350 mV, 300 mV
400 mV
400 mV, 1 V
400 mV, 1.5 V
400 mV, 500 mV
400 mV, 800 mV
420 mV
450 mV
450 mV, 1 V
450 mV, 1.1 V
450 mV, 1.5 V
450 mV, 950 mV

70 pC, 850 pC
73 pC, 3 nC
170 pC, 230 pC
180 pC
210 pC
216 pC
223 pC
250 pC, 500 pC
260 pC
270 pC
280 pC
290 pC
300 pC
300 pC, 280 pC
304 pC
310 pC
320 pC
330 pC
340 pC
340 pC, 400 pC

290 uW
300 uW
470 uW
700 uW
1 mW
1.04 mW
1.13 mW
1.135 mW
1.2 mW
1.25 mW
1.3 mW
1.67 mW
1.785 mW
5 mW
10.9 mW
80 mW
92.5 mW
100 mW
120 mW
125 mW

2N7000
2N7002
2N7002A
2N7002W
ATTOmini
BIMOSFET
Clare
CoolMOS
CoolMOS, HiPerDyn
CoolMOS, ISOPLUS247
CoolSiC
DI003N03SQ2
DI006P02PW
DI008N09SQ
DI010N03PW
DI010N03PW-AQ
DI015N25D1
DI020N06D1
DI020P06PT
DI020P06PT-AQ