MOSFETs de SiC

 MOSFETs de SiC
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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC Transistor SiC MOSFET 1200V 160m 3rd Gen TO-263-7L 1,916En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 17 A 208 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 42 nC + 175 C 100 W Enhancement
onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 80MOHM 1200V 626En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 30 A 110 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 179 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFETs de SiC 60MOHM 900V 1,098En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 900 V 46 A 84 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 87 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 80MOHM 1200V 1,262En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 31 A 110 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 178 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFETs de SiC 60MOHM 261En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 900 V 46 A 84 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 87 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC
onsemi MOSFETs de SiC 750V/23MOSICFETG4TO263 787En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 750 V 64 A 29 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 278 W Enhancement SiC FET
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO247 750V 56A N-CH SIC 804En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 56 A 26 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 94 nC + 175 C 176 W Enhancement
onsemi MOSFETs de SiC 1200V/53MOSICFETG4TO247-3 618En existencias
600En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 34 A 67 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V - 55 C + 175 C 263 W SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 1200V/70MOSICFETG4TO247-4 416En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 27.5 A 91 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V - 55 C + 175 C 217 W SiC FET
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO263 1.2KV 40A N-CH SIC 670En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 40 A 47 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 91 nC + 175 C 150 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO263 750V 31A N-CH SIC 1,946En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 31 A 59 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 63 nC + 175 C 93 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO247 1.2KV 43A N-CH SIC 115En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247N-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 43 A 47 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 91 nC + 175 C 176 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO263 750V 31A N-CH SIC 301En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 31 A 59 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 63 nC + 175 C 93 W Enhancement AEC-Q101
onsemi MOSFETs de SiC 750V/33MOSICFETG4TO263 486En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 750 V 44 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 197 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 750V/44MOSICFETG4TO263 764En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 750 V 35.6 A 56 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 181 W Enhancement SiC FET
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO247 750V 34A N-CH SIC 810En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247N-3 N-Channel 1 Channel 750 V 34 A 59 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 63 nC + 175 C 115 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC N-Ch 1200V SiC 72A 30mOhm TrenchMOS 695En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 72 A 39 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 131 nC - 55 C + 175 C 339 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC 1200V 55A 262W SIC 40mOhm TO-247N 467En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 55 A 52 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 107 nC - 55 C + 175 C 262 W Enhancement AEC-Q101
Wolfspeed MOSFETs de SiC 650V MOSFET 45mOHMS SiC MOSFET 929En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 49 A 45 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 63 nC - 40 C + 175 C 176 W Enhancement
onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TOLL 650V 1,374En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000

SMD/SMT PSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 73 A 50 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 105 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFETs de SiC 650V/80MOSICFETG3TO247-4 584En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 31 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 1200V/16MOSICFETG3TO24 466En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 107 A 21 mOhms - 20 V, + 20 V 4 V 218 nC - 55 C + 175 C 517 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
Microchip Technology MOSFETs de SiC MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm TO-247-4 258En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 103 A 31 mOhms - 10 V, + 23 V 1.8 V 232 nC - 55 C + 175 C 500 W Enhancement
STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A 880En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 40 mOhms - 10 V, + 22 V 4.2 V 39.5 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an H 549En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole HiP-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 36 A 100 mOhms - 10 V, + 22 V 4.9 V 61 nC - 55 C + 200 C 278 W Enhancement AEC-Q101