Transistores

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Cantidad RoHS Tipo de producto
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 120V SG
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MOSFETs Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel
MACOM Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) Transistor,<30MHz,12.5V100W
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114En existencias
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RF Bipolar Transistors Si Screw Mount 211-11 NPN
Vishay TN2404K-T1-BE3
Vishay Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 240-V (D-S) MOSFET
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MOSFETs Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel

STMicroelectronics Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Power Transistor
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BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole ISOWATT-218FX-3 NPN
STMicroelectronics Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Medium current, high performance, low Voltage PNP transistor
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71,744En existencias
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT TO-252-3 PNP
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 3 mOhm typ., 130 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 p
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20,021En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 400 V, 0.063 Ohm typ., 38 A MDmesh DM2 Power MOSFET i
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SprFET2 650V 190mohm FRFET TO247 longlea
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
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28,014En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel PowerTrench MOSFET
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3,387En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT Power-56-8 N-Channel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 20A NCH MOSFET
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7,363En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 4.5a .3 Ohms/VGS=1V
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MOSFETs Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1000V N-Channe MOSFET
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MOSFETs Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel

Diodes Incorporated Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PNP High Voltage
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256,297En existencias
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-23-3 PNP
Diodes Incorporated Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Avalanche
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BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-92-3 NPN

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs Complmtry Enh FET
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383,314En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT TSOT-26-6 N-Channel, P-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIFFERENTIATED MOSFETS
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78,153En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
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MOSFETs Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 230A 200V
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MOSFETs Si Through Hole TO-264-3 N-Channel


IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) ISOPLUS 4.7KV 2A N-CH HIVOLT
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MOSFETs Si Through Hole ISOPLUS-i5-PAK-3 N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLUS247 4.5KV 1.4A N-CH HIVOLT
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel
IXYS IGBTs 1700V/108A High Voltage XPT IGBT
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870Se espera el 3/11/2026
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-PLUS-3
IXYS IGBTs PLUS247 1700V 50A XPT
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-PLUS-3
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=375W F=1MHZ AEC-Q101
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MOSFETs Si SMD/SMT TO-220SM-3 N-Channel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSON N-CH 60V 20A
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MOSFETs Si SMD/SMT TSON-8 N-Channel