Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 700W, Si LDMOS, 48V, 790-820MHz, TO275
PTRA087008NB-V1-R2
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941-PTRA087008NBV1R2
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 700W, Si LDMOS, 48V, 790-820MHz, TO275
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Si
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PTRA094808NF-V1-R5
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RF MOSFET Transistors
SMD/SMT
HBSOF-6-2
Si
859 MHz to 960 MHz
480 W
+ 225 C
17.5 dB
Reel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 520W, Si LDMOS, 48V, 925-960MHz, TO275
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 520W, Si LDMOS, 48V, 925-960MHz, TO275
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RF MOSFET Transistors
Si
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Power Amplifier
PTRA097008NB-V1-R2
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941-PTRA097008NB1R2
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Power Amplifier
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RF MOSFET Transistors
Screw Mount
HB2SOF-6-1
Si
920 MHz to 960 MHz
630 W
19 dB
Reel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 850W, Si LDMOS 48V, 730-960 MHz, TO288
PTRA097058NB-V1-R2
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 850W, Si LDMOS 48V, 730-960 MHz, TO288
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RF MOSFET Transistors
Si
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PTVA082407NF-V1-R5
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RF MOSFET Transistors
SMD/SMT
HBSOF-4-1
Si
746 MHz to 821 MHz
240 W
+ 225 C
22.5 dB
Reel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
PTVA084007NF-V1-R5
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RF MOSFET Transistors
SMD/SMT
HBSOF-4-2
Si
755 MHz to 805 MHz
370 W
+ 225 C
23.6 dB
Reel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
PTVA092407NF-V1-R5
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941-PTVA092407NF1R5
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RF MOSFET Transistors
SMD/SMT
HBSOF-4-1
Si
869 MHz to 960 MHz
240 W
+ 225 C
22 dB
Reel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 240W, Si LDMOS, 48V, 869-960MHz, TO288
PTVA092407NF-V2-R5
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941-PTVA092407NFV2R5
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 240W, Si LDMOS, 48V, 869-960MHz, TO288
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500
RF MOSFET Transistors
Si
Reel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
PTVA120252MT-V1-R1K
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941-PTVA120252MT1RK
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RF MOSFET Transistors
SMD/SMT
SON-16
Si
500 MHz to 1.4 GHz
25 W
+ 225 C
19.5 dB
Reel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
PXAC200902FC-V1-R0
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941-PXAC200902FC1R0
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RF MOSFET Transistors
SMD/SMT
H-37248-4
Si
1.805 GHz to 2.17 GHz
90 W
+ 225 C
17.2 dB
Reel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
PXAC200902FC-V1-R2
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941-PXAC200902FC1R2
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250
Detalles
RF MOSFET Transistors
SMD/SMT
H-37248-4
Si
1.805 GHz to 2.17 GHz
90 W
+ 225 C
17.2 dB
Reel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
PXAC201202FC-V2-R0
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941-PXAC201202FC2R0
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50
Detalles
RF MOSFET Transistors
Screw Mount
H-37248-4
Si
1.8 GHz to 2.2 GHz
120 W
16.5 dB
Reel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
PXAC201202FC-V2-R250
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$72.70
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N.º de artículo de Mouser
941-PXAC201202FC2R2
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
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250
Detalles
RF MOSFET Transistors
Screw Mount
H-37248-4
Si
1.8 GHz to 2.2 GHz
120 W
16.5 dB
Reel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
PXAC201602FC-V1-R0
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$93.06
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N.º de artículo de Mouser
941-PXAC201602FC1R0
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
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Mult.: 50
Carrete :
50
Detalles
RF MOSFET Transistors
SMD/SMT
H-37248-4
Si
1.88 GHz to 1.92 GHz, 2.01 GHz to 2.025 GHz
140 W
+ 225 C
17.7 dB
Reel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
PXAC201602FC-V1-R250
MACOM
250:
$84.77
No en existencias
N.º de artículo de Mouser
941-PXAC201602FC1R2
MACOM
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
No en existencias
Embalaje alternativo
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Min.: 250
Mult.: 250
Carrete :
250
Detalles
RF MOSFET Transistors
SMD/SMT
H-37248-4
Si
1.88 GHz to 1.92 GHz, 2.01 GHz to 2.025 GHz
140 W
+ 225 C
17.7 dB
Reel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 370W Si LDMOS 28V 2496 to 2690MHz
PXAE263708NB-V1-R0
MACOM
50:
$66.54
No en existencias
N.º de artículo de Mouser
941-PXAE263708NBV1R0
MACOM
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 370W Si LDMOS 28V 2496 to 2690MHz
No en existencias
Embalaje alternativo
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Min.: 50
Mult.: 50
Carrete :
50
Detalles
RF MOSFET Transistors
Screw Mount
HB2SOF-8-1
Si
2.62 GHz to 2.69 GHz
400 W
+ 225 C
13.5 dB
Reel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 100 W 100 MHz TO-247 Common Source
Microchip Technology ARF463BP1G
ARF463BP1G
Microchip Technology
1:
$45.03
Plazo de entrega no en existencias 4 Semanas
N.º de artículo de Mouser
494-ARF463BP1G
Microchip Technology
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 100 W 100 MHz TO-247 Common Source
Plazo de entrega no en existencias 4 Semanas
1
$45.03
10
$41.02
100
$30.92
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
RF MOSFET Transistors
Through Hole
Si
100 MHz
100 W
- 55 C
+ 150 C
15 dB
Tube
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 80 W, 28 V, 1.3 to 1.7 GHz RF power LDMOS transistor
RF2L16080CF2
STMicroelectronics
160:
$60.50
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
NRND
N.º de artículo de Mouser
511-RF2L16080CF2
NRND
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 80 W, 28 V, 1.3 to 1.7 GHz RF power LDMOS transistor
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Comprar
Min.: 160
Mult.: 160
Carrete :
160
Detalles
RF MOSFET Transistors
SMD/SMT
A2-3
Si
1.625 GHz
80 W
+ 200 C
18 dB
Reel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 8 W, 28 V, 0.7 to 4.2 GHz RF power LDMOS transistor
RF2L42008CG2
STMicroelectronics
300:
$35.51
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
NRND
N.º de artículo de Mouser
511-RF2L42008CG2
NRND
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 8 W, 28 V, 0.7 to 4.2 GHz RF power LDMOS transistor
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Comprar
Min.: 300
Mult.: 300
Carrete :
300
Detalles
RF MOSFET Transistors
SMD/SMT
E2-3
Si
3.6 GHz
8 W
+ 200 C
14.5 dB
Reel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 250 W 28/32 V RF power LDMOS transistor from HF to 1 GHz
RF3L05250CB4
STMicroelectronics
100:
$192.64
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
NRND
N.º de artículo de Mouser
511-RF3L05250CB4
NRND
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 250 W 28/32 V RF power LDMOS transistor from HF to 1 GHz
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Comprar
Min.: 100
Mult.: 100
Carrete :
100
Detalles
RF MOSFET Transistors
SMD/SMT
LBB-5
Si
1 MHz
250 W
+ 200 C
18 dB
Reel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS transistor HF up to 1.5 GHz
ST9060C
STMicroelectronics
50:
$76.34
Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
NRND
N.º de artículo del Fabricante
ST9060C
N.º de artículo de Mouser
511-ST9060C
NRND
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS transistor HF up to 1.5 GHz
Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
Comprar
Min.: 50
Mult.: 50
Detalles
RF MOSFET Transistors
SMD/SMT
M243-3
Si
1.5 GHz
80 W
+ 200 C
17.3 dB
Bulk
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 300W 50V RF MOS 26dB 123MHz N-Ch
STAC4932F
STMicroelectronics
80:
$112.38
Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
NRND
N.º de artículo de Mouser
511-STAC4932F
NRND
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 300W 50V RF MOS 26dB 123MHz N-Ch
Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
Comprar
Min.: 80
Mult.: 80
Detalles
RF MOSFET Transistors
SMD/SMT
STAC244F
Si
250 MHz
1 kW
- 65 C
+ 150 C
24.6 dB
Bulk
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) RF BIP TRANSISTOR
BF 776 H6327
Infineon Technologies
12,000:
$0.179
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-BF776H6327
NRND
Infineon Technologies
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) RF BIP TRANSISTOR
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Comprar
Min.: 12,000
Mult.: 12,000
Carrete :
3,000
Detalles
RF Bipolar Transistors
Bipolar Power
Si
Reel
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) RF BIP TRANSISTOR
BFP 182W H6327
Infineon Technologies
9,000:
$0.148
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-BFP182WH6327
NRND
Infineon Technologies
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) RF BIP TRANSISTOR
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Embalaje alternativo
Comprar
Min.: 9,000
Mult.: 9,000
Carrete :
3,000
Detalles
RF Bipolar Transistors
Bipolar
Si
Reel