Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
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113,607En existencias
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: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8 N-Channel 1 Channel 100 V 35.3 A 14.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 20 nC - 55 C + 150 C 52 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 30V(S1-S2)
Hoja de datos
25,034En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT N-Channel 2 Channel 30 V 101 A 4.5 mOhms - 16 V, 20 V 2.3 V 30 nC - 55 C + 150 C 69.4 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Channel 60V AEC-Q101 Qualified
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25,530En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT SOIC-8 P-Channel 2 Channel 60 V 4.4 A 70 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 40 nC - 55 C + 175 C 3.3 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 50A 136W AEC-Q101 Qualified
Hoja de datos
22,115En existencias
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Min.: 1
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: 2,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 40 V 50 A 7.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 155 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 97A 136W AEC-Q101 Qualified
Hoja de datos
60,499En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 97 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 125 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
Hoja de datos
21,501En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 P-Channel 1 Channel 30 V 30 A 7 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 109 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V Vds AEC-Q101 Qualified
Hoja de datos
288,511En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel 1 Channel 60 V 15 A 25.9 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 7.6 nC - 55 C + 175 C 45 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified
Hoja de datos
63,958En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel 1 Channel 100 V 14.7 A 78 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 4 nC - 55 C + 175 C 27 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 160A Id AEC-Q101 Qualified
Hoja de datos
13,796En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000

Si SMD/SMT PowerPAK-8x8-4 N-Channel 1 Channel 40 V 160 A 900 uOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 220 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds -/+20V Vgs AEC-Q101 Qualified
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30,481En existencias
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Min.: 1
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: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8W-8 N-Channel 1 Channel 60 V 8 A 36 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 13 nC - 55 C + 175 C 39 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 100V 37.1A P-CH MOSFET
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17,512En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 100 V 37.1 A 43 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 54 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 8V Vgs SOT-23
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178,394En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 20 V 2.9 A 57 mOhms - 8 V, 8 V 850 mV 3.5 nC - 55 C + 150 C 860 mW Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 30A 5.4W 3.0mohm @10V
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23,491En existencias
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Min.: 1
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: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 1 Channel 30 V 30 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 36 nC - 55 C + 150 C 5.4 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FET 50V 3.5 OHM
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1,121,174En existencias
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Min.: 1
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: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 50 V 220 mA 3.5 Ohms - 20 V, 20 V 800 mV 1.7 nC - 55 C + 150 C 350 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 FAST 650V TO247
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839En existencias
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 75 A 19.3 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 282 nC - 55 C + 150 C 625 W Enhancement Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FAST 650V TO220
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3,626En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 47 A 55 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 96 nC - 55 C + 150 C 305 W Enhancement SuperFET III Tube
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 FAST 165MOHM TO-220F
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11,916En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 19 A 165 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 35 nC - 55 C + 150 C 33 W Enhancement Tube

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLANAR FET
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24,002En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 4,000

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 55 V 5.1 A 65 mOhms, 65 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 29 nC - 55 C + 175 C 2.4 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 7.7A DSO-8 OptiMOS 3M
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62,857En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 30 V 7.7 A 21.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 7.8 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 100 V, 0.0125 Ohm typ., 45 A STripFET F7 Power MOSFET
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18,400En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 22 A 18 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 25 nC - 55 C + 175 C 60 W Enhancement AEC-Q101 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET, N-Channel, SUPERFE II, FRFET®, 650 V, 35 A, 110 mohm, D2-PAK
Hoja de datos
4,648En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 35 A 110 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 98 nC - 55 C + 150 C 357 W Enhancement SuperFET II FRFET Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperFET2 800V
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1,480En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 58 A 60 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 350 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement Tube
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Asymmetric Dual N-Channel Pwr Trench
Hoja de datos
42,680En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT Power-56-8 N-Channel 2 Channel 30 V 60 A 10 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 34 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Channel PowerTrench MOSFET
Hoja de datos
16,160En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT Power-56-8 N-Channel 1 Channel 60 V 13.5 A 8.2 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 63 nC - 55 C + 150 C 69 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Channel QFET
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31,195En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 100 V 6.6 A 530 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 15 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement AEC-Q101 QFET Reel, Cut Tape, MouseReel