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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified

SQJQ906E-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQJQ906E-T1_GE3

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Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified

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PowerPAK-8x8-4

N-Channel

2 Channel

40 V

95 A

3.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

50 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 8A 39W AEC-Q101 Qualified

SQS460EN-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

N-Channel

1 Channel

60 V

8 A

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- 20 V, 20 V

2.5 V

13 nC

- 55 C

+ 175 C

39 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs 1206-8 ChipFET

SI5403DC-T1-GE3
Vishay Semiconductors
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SI5403DC-T1-GE3

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781-SI5403DC-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs 1206-8 ChipFET

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SMD/SMT

ChipFET-8

P-Channel

1 Channel

30 V

6 A

30 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

28 nC

- 55 C

+ 150 C

6.3 W

Enhancement

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -150V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

SI7117DN-T1-E3
Vishay Semiconductors
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SI7117DN-T1-E3

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Vishay Semiconductors

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SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

P-Channel

1 Channel

150 V

2.17 A

1.2 Ohms

- 20 V, 20 V

4.5 V

7.7 nC

- 55 C

+ 150 C

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Enhancement

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SI7465DP-T1-E3
Vishay Semiconductors
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SI7465DP-T1-E3

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781-SI7465DP-T1-E3

Vishay Semiconductors

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PowerPAK-SO-8

P-Channel

1 Channel

60 V

3.2 A

64 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

26 nC

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Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SI7465DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
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SI7465DP-T1-GE3

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781-SI7465DP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

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PowerPAK-SO-8

P-Channel

1 Channel

60 V

3.2 A

64 mOhms

- 20 V, 20 V

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26 nC

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3.5 W

Enhancement

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 60A 55W AEC-Q101 Qualified

SQJ886EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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SQJ886EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SQJ886EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

40 V

60 A

3.6 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

65 nC

- 55 C

+ 175 C

55 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 100V 4A P-CH MOSFET

IRF9510PBF
Vishay Semiconductors
1: $1.12
76,764En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRF9510PBF

N.º de artículo de Mouser
844-IRF9510PBF

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 100V 4A P-CH MOSFET

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TO-220-3

P-Channel

1 Channel

100 V

4 A

1.2 Ohms

- 20 V, 20 V

4 V

8.7 nC

- 55 C

+ 175 C

43 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FRFET 650V 75A 27.4mOhm

NTHL027N65S3HF
onsemi
1: $22.57
1,276En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTHL027N65S3HF

N.º de artículo de Mouser
863-NTHL027N65S3HF

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FRFET 650V 75A 27.4mOhm

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$22.57

$14.32

$13.17

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Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

75 A

27.4 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

225 nC

- 55 C

+ 150 C

595 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SF3 650V 50MOHM

NTHL050N65S3HF
onsemi
1: $17.03
1,908En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTHL050N65S3HF

N.º de artículo de Mouser
863-NTHL050N65S3HF

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SF3 650V 50MOHM

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$17.03

$12.91

$9.37

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Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

58 A

50 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

125 nC

- 55 C

+ 150 C

378 W

Enhancement

SuperFET III

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL DS

NTMFD6H846NLT1G
onsemi
1: $2.12
25,427En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMFD6H846NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFD6H846NLT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL DS

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$2.12

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: 1,500

SO-8FL-Dual-8

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SF3 FRFET HF VERSION 82MOHM TO-220

NTP082N65S3HF
onsemi
1: $6.73
7,748En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTP082N65S3HF

N.º de artículo de Mouser
863-NTP082N65S3HF

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SF3 FRFET HF VERSION 82MOHM TO-220

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$6.73

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$4.37

$3.82

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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

40 A

82 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

81 nC

- 55 C

+ 150 C

313 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N Channel NexFET Power MOSFET

CSD17305Q5A
Texas Instruments
1: $2.04
3,555En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD17305Q5A

N.º de artículo de Mouser
595-CSD17305Q5A

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N Channel NexFET Power MOSFET

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Cinta cortada

$2.04

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$1.43

$1.22

$1.02

Envase tipo carrete

$0.642

MouseReel Disponible

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: 2,500

SMD/SMT

VSONP-8

N-Channel

1 Channel

30 V

60 A

2.8 mOhms

- 8 V, 10 V

1.1 V

14.1 nC

- 55 C

+ 150 C

3.1 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 33A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC360N15NS3 G
Infineon Technologies
1: $2.44
4,548En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC360N15NS3 G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC360N15NS3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 33A TDSON-8 OptiMOS 3

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4,548En existencias

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$2.44

$1.56

$1.06

$0.884

$0.819

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$0.765

MouseReel Disponible

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Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

150 V

33 A

36 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

74 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds TrenchFET PowerPAK SO-8

SIRA00DP-T1-RE3
Vishay / Siliconix
1: $2.68
3,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIRA00DP-T1-RE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIRA00DP-T1-RE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds TrenchFET PowerPAK SO-8

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Cinta cortada

$2.68

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$1.19

$1.01

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$0.839

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MouseReel Disponible

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Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

30 V

100 A

830 uOhms

- 16 V, 20 V

1.1 V

220 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 23A D2PAK-2 CoolMOS CP

IPB50R140CP
Infineon Technologies
1: $4.59
856En existencias
1,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPB50R140CP

N.º de artículo de Mouser
726-IPB50R140CP

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 23A D2PAK-2 CoolMOS CP

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856En existencias

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$4.59

$3.04

$2.38

$2.12

Envase tipo carrete

$1.87

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Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

23 A

130 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

64 nC

- 55 C

+ 150 C

192 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds TrenchFET TO-263-3

SUM50020E-GE3
Vishay Semiconductors
1: $4.01
4,463En existencias
800En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SUM50020E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SUM50020E-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds TrenchFET TO-263-3

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4,463En existencias

800En pedido

$4.01

$2.62

$2.05

$1.72

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Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

120 A

2.4 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

128 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

TrenchFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 250V AEC-Q101 Qualified

SQD07N25-350H_GE3
Vishay Semiconductors
1: $2.47
2,402En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQD07N25-350H_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQD07N25-350H_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 250V AEC-Q101 Qualified

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$2.47

$1.57

$1.05

$0.855

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$0.716

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Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

250 V

7 A

290 mOhms

- 30 V, 30 V

2.5 V

29 nC

- 55 C

+ 175 C

71 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 75V 170A 4.1mOhm 120nC

IRFSL3207ZPBF
Infineon Technologies
1: $4.40
4,430En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFSL3207ZPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFSL3207ZPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 75V 170A 4.1mOhm 120nC

Hoja de datos

4,430En existencias

$4.40

$2.65

$2.26

$1.98

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-262-3

N-Channel

1 Channel

75 V

170 A

3.3 mOhms

- 20 V, 20 V

1.8 V

120 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V 30V SO-8 T&R 2.5K

DMN3011LSSQ-13
Diodes Incorporated
1: $0.86
1,343En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
DMN3011LSSQ-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMN3011LSSQ-13

Nuevo producto

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V 30V SO-8 T&R 2.5K

Hoja de datos

1,343En existencias

Cinta cortada

$0.86

$0.526

$0.347

$0.273

Envase tipo carrete

$0.191

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MouseReel Disponible

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Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

30 V

11 A

10 mOhms

- 20 V, 20 V

2.25 V

19.7 nC

- 55 C

+ 150 C

1.7 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V 30V X4-DSN1006-3 T&R 10K

DMN3059LCA3-7
Diodes Incorporated
1: $0.40
9,864En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
DMN3059LCA3-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMN3059LCA3-7

Nuevo producto

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V 30V X4-DSN1006-3 T&R 10K

9,864En existencias

Cinta cortada

$0.40

$0.298

$0.169

$0.114

Envase tipo carrete

$0.059

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: 10,000

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V 24V X2-DFN2015-3 T&R 3K

DMP2068UFY4Q-7
Diodes Incorporated
1: $0.50
2,980En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
DMP2068UFY4Q-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMP2068UFY4Q-7

Nuevo producto

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V 24V X2-DFN2015-3 T&R 3K

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V 30V SO-8 T&R 2.5K

DMT35M4LSS-13
Diodes Incorporated
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DMT35M4LSS-13

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V NCh Nex FET Pwr MOSFET A 595-CSD1757 A 595-CSD17578Q5A

CSD17522Q5A
Texas Instruments
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VSONP-8

N-Channel

1 Channel

30 V

100 A

12.4 mOhms

- 20 V, 20 V

1.6 V

3.6 nC

- 55 C

+ 150 C

3 W

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100-V N channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD19532Q5B

CSD19532Q5BT
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CSD19532Q5BT

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595-CSD19532Q5BT

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VSON-CLIP-8

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100 A

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- 20 V, 20 V

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1212-8S
1212-8SCD
1212-8SLW
1212-8W
2-10AF1A-9
2-10AG1A
6x5F
8 x 8LR
ACEPACK SMIT-9
APMCA-16
ATPAK-3
BGA-10
BGA-6
CCPAK1212
CSP-6
CSPB1313-4
CSPB1515-4
CSPB2718-6
CST-3
CST3-3

6 V
8 V
8 V, 8 V
9 V
10 V
10.6 V
12 V
12 V, 20 V
15 V
16 V
16.5 V
18 V
19 V
20 V
20 V, 12 V
20 V, 20 V
20 V, 30 V
20 V, 8 V
21 V, 20 V
22 V

150 uA
250 uA
520 uA
2 mA
2 mA, 4.8 mA
4.8 mA
5 mA
12 mA
13 mA
16 mA, 40 mA
19 mA
20 mA
21 mA
30 mA
35 mA
50 mA
53 mA
54 mA
60 mA
70 mA

290 uOhms
310 uOhms
350 uOhms
360 uOhms
390 uOhms
400 uOhms
410 uOhms
0.42 mOhms
420 uOhms
440 uOhms
450 uOhms
460 uOhms
470 uOhms
480 uOhms
490 uOhms
500 uOhms
510 uOhms
520 uOhms
530 uOhms
540 uOhms

- 500 mV, 5 V
- 500 mV, 8 V
- 200 mV, 7 V
- 40 V, 40 V
- 31 V, 31 V
- 30 V, - 20 V, 20 V, 30 V
- 30 V, 25 V
- 30 V, 30 V
- 25 V, - 16 V, 16 V, 25 V
- 25 V, - 20 V, 20 V, 25 V
- 25 V, 20 V
- 25 V, 25 V
- 25 V, 30 V
- 22 V, 22 V
- 21 V, 21 V
- 20 V to 20 V
- 20 V, + 20 V
- 20 V, - 12 V, 12 V, 20 V
- 20 V, - 12 V, 16 V, 20 V
- 20 V, 10 V

0 V
20 mV
180 mV
220 mV
300 mV
350 mV
350 mV, 1 V
350 mV, 1.4 V
350 mV, 300 mV
400 mV
400 mV, 1 V
400 mV, 1.5 V
400 mV, 500 mV
400 mV, 800 mV
420 mV
450 mV
450 mV, 1 V
450 mV, 1.1 V
450 mV, 1.5 V
450 mV, 950 mV

70 pC, 850 pC
73 pC, 3 nC
170 pC, 230 pC
180 pC
210 pC
216 pC
223 pC
250 pC, 500 pC
260 pC
270 pC
280 pC
290 pC
300 pC
300 pC, 280 pC
304 pC
320 pC
330 pC
340 pC
340 pC, 400 pC
350 pC

290 uW
300 uW
470 uW
700 uW
1 mW
1.04 mW
1.13 mW
1.135 mW
1.2 mW
1.25 mW
1.3 mW
1.67 mW
1.785 mW
5 mW
10.9 mW
80 mW
92.5 mW
100 mW
120 mW
125 mW

2N7000
2N7002
2N7002A
2N7002W
ATTOmini
BIMOSFET
Clare
CoolMOS
CoolMOS, HiPerDyn
CoolMOS, ISOPLUS247
CoolSiC
DI003N03SQ2
DI006P02PW
DI008N09SQ
DI010N03PW
DI010N03PW-AQ
DI015N25D1
DI020N06D1
DI020P06PT
DI020P06PT-AQ